技术编号:11439829
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种鳍式场效应管的形成方法。背景技术MOS晶体管通过在栅极施加电压,调节通过沟道区域的电流来产生开关信号。但当半导体技术进入30纳米以下节点时,传统的平面式MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱,造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种新兴的多栅器件,它一般包括凸出于半导体衬底表面的半导体鳍部,覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构,位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。为了降低鳍式场效应晶体管栅极的寄生电容,提高器件速度,高K栅介电层与金属栅...
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