技术编号:11446648
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碳化硅基板和碳化硅基板的制造方法。背景技术由于碳化硅的介电强度高,因此碳化硅作为代替硅的新一代功率半导体装置用材料而受到了关注。NaokiKaji及另外3人在日本应用物理杂志(JapaneseJournalofAppliedPhysics)52,2013,070204(非专利文献1)上的“具有改善的结终端扩展结构和较高的载流子寿命的超高电压SiCPiN二极管(Ultrahigh-VoltageSiCPiNDiodeswithanImprovedJunctionTerminationEx...
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