技术编号：11452555
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种方法，其为在半导体器件的制造工序中、在等离子体条件下使用处理气体的等离子体蚀刻方法，其中，在对硅氧化物和选自硅氮化物、硅和有机膜中的至少一种同时进行蚀刻时，选择性地对硅氧化物进行等离子体蚀刻。背景技术半导体器件的制造中，在将硅化合物膜[例如，SiO2膜、Si3N4(SiN)膜、SiC膜等]微细加工成所期望的形状时，具有使用处理气体进行等离子体蚀刻的工序。进行等离子体蚀刻时，成为加工的对象的硅化合物膜与在同一基板上混在一起的不需要加工(非加工对象)的硅化合物膜和/或有机膜的蚀刻选择性...
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