技术编号:11452763
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于功率半导体模块的具有键合缓冲物的功率半导体接触结构、以及其生产方法。背景技术厚导线键合、也称为条带键合,代表了尤其在功率电子器件中广泛使用的连接技术。这种已知的连接技术用于在连接器轨道、终端接线柱与部件触点之间通过借助于导线或条带进行桥接来产生电连接。通过静态接触压力以及夹紧工具的高频振荡在对应接触位置处产生导线与键合缓冲物的连接,其中以摩擦焊接过程的形式,导线与接触区域产生实心的且一体的材料键合。最经常地主要使用铝和铜导线进行这些已知的连接技术。铝键合导线具有超过铜键合导线的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。