技术编号：11474159
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种薄膜取向结晶生长的X射线衍射原位表征方法，属于薄膜晶相结构表征技术领域。背景技术采用溶液法制备的薄膜，尤其是取向生长的薄膜，通常呈现面外或面内的取向生长行为。例如采用提拉法薄膜制备技术通过溶胶凝胶前体制备的氧化锌薄膜可以表现出(001)或(100)方向的面外择优取向。在有机材料中，这种取向生长更为普遍，而且可以通过分子结构设计，结合溶剂选择与衬底修饰等工艺技术手段实现对晶格结构的控制和调节。特别是共轭有机小分子，可以简单地通过控制其生长速度或者采用不同的有机溶剂制备获得具有不同晶格...
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