技术编号:11482432
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种载流子增强型MOS结构。背景技术目前,集成电路一直在往频率更高,功率更低的方向发展。MOS集成电路主要用于高速计算和存储等领域。PMOS的载流子的迁移率要远低于NMOS,会影响器件在高频下性能。应力应变会增强PMOSFET迁移率,因此,也可以减短信号传输的延迟时间和降低开关能量。实用新型内容本实用新型提供了一种载流子增强型MOS结构。本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:一种载流子增强型MOS结构,包括一具有第一掺杂型的衬底,及在衬底内形成的具有第二掺杂型的源区和漏区,所述源...
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