技术编号:11487407
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体测试技术领域,特别是涉及一种释放焊垫等离子体的PID测试结构。背景技术在深亚微米集成电路加工工艺中,通常需大量使用高密度等离子体增强化学气相沉积(HDPECVD,HighDensityPlasmaEnhancedDeposition)以及等离子体刻蚀(plasmaetching)技术。此种技术适应随着尺寸不断缩小,掩膜刻蚀分辨率不断提高的要求。但是在高密度等离子体增强化学气相沉积或等离子体刻蚀过程中,会产生游离电荷,当刻蚀导体(金属或多晶硅)的时候,裸露的导体表面就会收集游离...
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