技术编号：11487437
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及功率半导体器件领域，更具体地，涉及快恢复二极管。背景技术功率半导体器件亦称为电力电子器件，包括功率二极管、晶闸管、VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体)场效应晶体管、LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)场效应晶体管以及IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等。IGBT是由BJT(双极型三极管)和FET(场效应晶体管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。二极管器件作为一种基础的功率半导体器件，广泛的应用于各种电路之后，特别是在逆变器，变频器以及电机驱动领域，快恢复二极管器件通常与I...
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