技术编号：11519635
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。自对准双沟槽装置背景技术传统上，集成电路(IC)建置于半导体芯片的顶部表面上或附近。IC中的电流在平行于并靠近芯片表面的电路元件之中及之间流动且表面区域中的某些位置内在IC的操作期间易受来自强电场及高电流的应力影响。近来，一些电路元件已被安置成远离芯片表面而朝向芯片块体，作为一种散布电流以便减小对电流流动的电阻且还重新引导电场远离芯片表面以便增加装置操作电压的方式。因此，沟槽结构在功率MOSFET及整流器及瞬时电压抑制装置中得到普及。此类别的装置通常被称为垂直装置或垂直IC。在一些垂直IC中，所...
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