技术编号:11528990
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用所谓的液相生长法的碳化硅的晶体的制造方法等。背景技术碳化硅(SiC)与作为电子器件等的材料而广泛使用的Si相比,带隙为2~3倍左右、介质击穿电压为约10倍。因此,SiC晶体作为超越使用硅的器件的功率器件的基板材料而受到期待。SiC基板是从SiC单晶锭切出而得到的。作为SiC锭的制造方法,已知有使SiC晶体在气相中进行晶体生长的方法(气相生长法)和使SiC晶体在液相中生长的方法(液相生长法)。液相生长法与气相生长法相比,由于在接近热平衡的状态下进行晶体生长,因此可期待得到缺陷密度小的...
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