技术编号：11530338
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体装置制造的光刻工序中，用于形成光致抗蚀剂的下层所使用的下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。背景技术作为半导体基板与光致抗蚀剂之间的下层膜，使用了作为包含硅、钛等金属元素的硬掩模而已知的膜(参照专利文献1和专利文献2)。在该情况下，抗蚀剂与硬掩模的构成成分具有大的差异，因此它们的通过干蚀刻而被除去的速度大大取决于干蚀刻所使用的气体种类。而且，通过适当选择气体种类，从而不会伴随光致抗蚀剂的膜厚的大幅减少，能够通过干蚀刻而除去硬掩模。这样，在近年来的半导体装置的制造中，为了实现以...
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