技术编号:11531163
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储装置,在该非易失性存储装置中,以阵列排列的方式布置有包括非易失性存储元件的存储单元。背景技术作为非易失性存储器,已知的有ReRAM(ResistiveRandomAccessMemory;电阻变化型随机存取存储器)、CBRAM(ConductionBridgeRandomAccessMemory;导电桥型随机存取存储器)、PCRAM(Phase-ChangeRandomAccessMemory;相变型随机存取存储器)、MRAM(MagnetoresistiveRandomA...
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