技术编号:11543429
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设备设计领域,尤其是指一种MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法。背景技术能源是人类社会发展的重要基础资源。由于世界能源资源产地与能源消费中心相距较远,特别是随着世界经济的发展、世界人口的剧增和人民生活水平的不断提高,世界能源需求量持续增大。由此导致对能源资源的争夺日趋激烈、环境污染加重和环保压力加大,使得能源问题成为当今国际政治、经济、军事、外交关注的焦点。发展可再生能源已成为全球实现低碳能源转型的战略目标,也成为我国可持续生态化发展的重大需求。同时,化石能源对环境...
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