MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法与流程

本发明涉及半导体设备设计领域，尤其是指一种MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法。

背景技术：
能源是人类社会发展的重要基础资源。由于世界能源资源产地与能源消费中心相距较远，特别是随着世界经济的发展、世界人口的剧增和人民生活水平的不断提高，世界能源需求量持续增大。由此导致对能源资源的争夺日趋激烈、环境污染加重和环保压力加大，使得能源问题成为当今国际政治、经济、军事、外交关注的焦点。发展可再生能源已成为全球实现低碳能源转型的战略目标，也成为我国可持续生态化发展的重大需求。同时，化石能源对环境的污染和全球气候的影响将日趋严重。面对以上挑战，世界能源供应和消费将向多元化、清洁化、高效化、全球化和市场化趋势发展。鉴于国情，我国应特别注意依靠科技进步和政策引导，提高能源利用效率，寻求能源的清洁化利用，积极倡导能源、环境和经济的可持续发展，并积极借鉴国际先进经验，建立和完善我国能源安全体系。光伏发电以太阳能电池技术为核心，目前太阳能电池从技术上主要分为3类：以晶硅电池为代表的第一代太阳能电池，以硅基薄膜、CdTe、CICS电池等为代表的第二代薄膜电池和以GaAs叠层电池为代表的第三代太阳能电池。光伏市场主要以第一代和第二代电池为主。然而，晶硅电池成本较高，且由于硅材料本身性质的限制，其光电转换效率很难再有提高，薄膜电池本身效率偏低，投资成本较高，因此，开发高效低成本的第三代太阳能电池不仅必要而且迫切。目前GaAs基系高效多结叠层太阳电池主要采用三结或四结叠层结构。GaInP/Ga(In)As/Ge三结太阳电池的理论效率值在AM(大气质量)01sun条件下为35％，GaInP/Ga(In)As/GaInNAs/Ge四结电池在AM(大气质量)01sun的条件下理论转换效率值高达41％以上，可见存在巨大潜在优势。GaAs叠层电池的GaInNAs子电池适宜生长温度较低，但MOCVD技术在低温环境下生长出来的子电池表面缺陷和杂质比较严重；通过提高温度可以改善GaInNAs子电池表面，但随环境温度升高，GaInNAs子电池氮元素掺杂难度将变大，氮源利用率极低。

技术实现要素：
本发明的目的在于克服现有技术的不足与缺点，提出一种MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法，可有效降低高温生长GaInNAs子电池时氮元素的掺杂难度，从而生长出高质量的GaInNAs子电池。为实现上述目的，本发明所提供的技术方案为：MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法，在MOCVD高温生长GaAs叠层电池的GaInNAs子电池时，通过载气的快速切换,能够降低高温生长GaInNAs子电池时氮元素的掺杂难度，从而生长出所需的高质量GaInNAs子电池，而载气的快速切换则由互锁装置完成；此外，生长GaInNAs子电池前后需生长隧道结GaAs/AlGaAs，而生长GaInNAs子电池前后的隧道结GaAs/AlGaAs使用的载气为H2，生长GaInNAs子电池使用的载气为N2，GaInNAs子电池掺杂氮源为二甲基肼；其包括以下步骤：1)生长GaInNAs子电池前，载气为H2，生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接Ge衬底和GaInNAs子电池，H2流量为80-90L/min，生长温度为540-550℃，生长压力为30Torr，隧道结GaAs/AlGaAs的生长厚度为24-26nm，生长时间为90s；2)生长GaInNAs子电池时，载气快速切换为N2，载气通过互锁装置自动快速切换，N2的流量为2.8-3L/min,生长温度为590-600℃，生长压力为39Torr，GaInNAs子电池的生长厚度为0.98-1um，生长时间为30min；3)生长GaInNAs子电池后，载气快速切换为H2，生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接两个子电池，H2流量为80-90L/min，生长温度为540-550℃，生长压力为30Torr，隧道结GaAs/AlGaAs的生长厚度为24-26nm，生长时间为90s。H2的纯度即体积百分数大于99.99999％，N2的纯度即体积百分数大于99.999％。氮气和氢气的进气管路安装互锁装置，互锁装置的开启由生长程序自动控制，当生长GaInNAs子电池时，生长程序输出信号给PLC，PLC控制互锁装置，载气通过互锁装置自动快速切换。本发明与现有技术相比，具有如下优点与有益效果：通过将氢气和氮气按照需求进行快速切换，具体是在生长GaInNAs子电池过程中，通过将载气由氢气换成氮气的措施，可以很好地降低在高温环境二甲基肼掺杂源氮元素的掺杂难度，明显减少生长GaInNAs子电池高温环境对惨氮元素的不良影响；GaInNAs子电池半高宽变窄，生长质量变好，从而生长出高质量的GaInNAs子电池，最终提高GaAs叠层电池的整体性能。附图说明图1为MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的结构示意图。图2为GaAs基四结电池结构示意图。具体实施方式下面结合两个具体实施例对本发明作进一步说明。实施例1原材料准备如下：Ga源：三甲基稼(TMGa)，饱和蒸汽压113.64Torr；In源：三甲基铟(TMIn),饱和蒸汽压2.58Torr；C源：四溴化碳(CBr4)，饱和蒸汽压0.82Torr；Te源：三乙基碲(DeTe),饱和蒸汽压9.33Torr；N源：二甲基阱(DMHy)，饱和蒸汽压165.9Torr；氮气(N2)纯度：纯度及体积百分数大于99.999％；氢气(H2)纯度：纯度及体积百分数大于99.99999％；砷烷(AsH3)纯度：纯度及体积百分数大于99.9999％；硅烷(Si2H6)纯度：纯度及体积百分数大于99.9999％；将上述不同原材料按照设定程序进入MOCVD反应腔，进行GaAs基四结电池的GaInNAs子电池的高温生长，具体步骤如下：1)在生长GaInNAs子电池前，载气为氢气，需生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接Ge衬底和GaInNAs子电池，此隧道结生长压力为30Torr,厚度为26nm,生长温度为550℃，氢气使用量为90L/min，生长时间为90s。2)当生长GaInNAs子电池时，载气快速切换为氮气，使用量为3L/min，生长压力为39Torr，GaInNAs子电池的生长厚度为1um，生长温度为600℃，生长时间30min。3)在生长GaInNAs子电池后，载气快速切换为氢气，需生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接两个子电池，此隧道生长压力为30Torr,厚度为26nm,生长温度为550℃，氢气使用量为90L/min，生长时间为90s。如图1所示，本实施例的氮气和氢气的进气管路安装有互锁装置，而互锁装置的开启则由生长程序自动控制，当生长GaInNAs子电池时，生长程序输出信号给PLC，PLC控制互锁装置，载气通过互锁装置实现自动快速切换。实施例21)在生长GaInNAs子电池前，载气为氢气，需生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接Ge衬底和GaInNAs子电池，此隧道结生长压力为30Torr,厚度为24nm,生长温度为540℃，氢气使用量为80L/min，生长时间为90s。2)当生长GaInNAs子电池时，载气快速切换为氮气，使用量为2.8L/min。生长GaInNAs子电池时，生长压力为39Torr，厚度为0.98um，生长温度为590℃，生长时间30min。3)在生长GaInNAs子电池后，载气快速切换为氢气，需生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接两个子电池，此隧道生长压力为30Torr,厚度为24nm,生长温度为540℃，氢气使用量为80L/min，生长时间为90s。实施例31)在生长GaInNAs子电池前，载气为氢气，需生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接Ge衬底和GaInNAs子电池，此隧道结生长压力为30Torr,厚度为26nm,生长温度为550℃，氢气使用量为90L/min，生长时间为90s。2)当生长GaInNAs子电池时，载气为氢气，使用量为3L/min。生长GaInNAs子电池时，生长压力为39Torr，厚度为1um，生长温度为600℃，生长时间30min。3)在生长GaInNAs子电池后，载气为氢气，需生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接两个子电池，此隧道生长压力为30Torr,厚度为26nm,生长温度为550℃，氢气使用量为90L/min，生长时间为90s。实施例41)在生长GaInNAs子电池前，载气为氢气，需生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接Ge衬底和GaInNAs子电池，此隧道结生长压力为30Torr,厚度为24nm,生长温度为540℃，氢气使用量为80L/min，生长时间为90s。2)当生长GaInNAs子电池时，载气为氢气，使用量为2.8L/min。生长GaInNAs子电池时，生长压力为39Torr，厚度为0.98um，生长温度为590℃，生长时间30min。3)在生长GaInNAs子电池后，载气为氢气，需生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接两个子电池，此隧道生长压力为30Torr,厚度为24nm,生长温度为540℃，氢气使用量为80L/min，生长时间为90s。实施结果从下表1所示的测试结果可以得到以下结论：通过测试结果可以看出，相比于实施例3和实施例4(没有使用载气快速切换生长GaInNAs子电池)，实施例1和实施例2(使用载气快速切换生长GaInNAs子电池)，PL中心波长变大，GaInNAs禁带宽度变窄，证明掺入的氮元素变多；半高宽可以反映晶体的质量，数值越小，说明生长质量越好，因此可以看出使用载气快速切换生长GaInNAs子电池材料质量更好，最终能提高GaAs基四结电池的整体性能，该GaAs基四结电池的结构具体见附图2。表1：GaInNAs子电池性能测试结果以上所述实施例只为本发明之较佳实施例，并非以此限制本发明的实施范围，故凡依本发明之形状、原理所作的变化，均应涵盖在本发明的保护范围内。