MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法与流程

技术特征：
1.MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法，其特征在于：在MOCVD高温生长GaAs叠层电池的GaInNAs子电池时，通过载气的快速切换,能够降低高温生长GaInNAs子电池时氮元素的掺杂难度，从而生长出所需的高质量GaInNAs子电池，而载气的快速切换则由互锁装置完成；此外，生长GaInNAs子电池前后需生长隧道结GaAs/AlGaAs，而生长GaInNAs子电池前后的隧道结GaAs/AlGaAs使用的载气为H2，生长GaInNAs子电池使用的载气为N2，GaInNAs子电池掺杂氮源为二甲基肼；其包括以下步骤：1)生长GaInNAs子电池前，载气为H2，生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接Ge衬底和GaInNAs子电池，H2流量为80-90L/min，生长温度为540-550℃，生长压力为30Torr，隧道结GaAs/AlGaAs的生长厚度为24-26nm，生长时间为90s；2)生长GaInNAs子电池时，载气快速切换为N2，载气通过互锁装置自动快速切换，N2的流量为2.8-3L/min,生长温度为590-600℃，生长压力为39Torr，GaInNAs子电池的生长厚度为0.98-1um，生长时间为30min；3)生长GaInNAs子电池后，载气快速切换为H2，生长一层隧道结GaAs/AlGaAs来连接两个子电池，H2流量为80-90L/min，生长温度为540-550℃，生长压力为30Torr，隧道结GaAs/AlGaAs的生长厚度为24-26nm，生长时间为90s。2.根据权利要求1所述的MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法，其特征在于：H2的纯度即体积百分数大于99.99999％，N2的纯度即体积百分数大于99.999％。3.根据权利要求1所述的MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法，其特征在于：氮气和氢气的进气管路安装互锁装置，互锁装置的开启由生长程序自动控制，当生长GaInNAs子电池时，生长程序输出信号给PLC，PLC控制互锁装置，载气通过互锁装置自动快速切换。