技术总结
本发明公开了一种MOCVD高温生长高质量GaInNAs子电池的方法，在MOCVD高温生长GaAs叠层电池的GaInNAs子电池时，通过载气的快速切换,能够降低高温生长GaInNAs子电池时氮元素的掺杂难度，从而生长出所需的高质量GaInNAs子电池，而载气的快速切换则由互锁装置完成；此外，生长GaInNAs子电池前后需生长隧道结GaAs/AlGaAs，而生长GaInNAs子电池前后的隧道结GaAs/AlGaAs使用的载气为H2，生长GaInNAs子电池使用的载气为N2，GaInNAs子电池掺杂氮源为二甲基肼。通过本发明方法能生长出高质量的GaInNAs子电池，最终提高GaAs叠层电池的整体性能。
技术研发人员：杨鹏;杨翠柏;张小宾;张杨;方聪;刘向平;靳恺;王雷;高熙隆
受保护的技术使用者：中山德华芯片技术有限公司
文档号码：201610192093
技术研发日：2016.03.30
技术公布日：2017.08.11