技术编号:11586342
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件朝着更高元件密度以及更高集成度的方向发展,栅极的有效长度也不断减小,导致栅极对沟道控制能力减弱。鳍式场效应晶体管(FinField-EffectTransistor,FinFET)的栅极成类似鱼鳍的叉状3D架构。FinFET的沟道凸出衬底表面形成鳍部,栅极覆盖鳍部的顶面和侧壁,从而使反型层形成在沟道各侧上,可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计能够增加栅极对沟道区的控制,从而能...
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