技术编号:11586344
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。背景技术在改进晶体管性能以及减小晶体管的尺寸的竞争中,晶体管已经得到发展,从而使得沟道和源极/漏极区域位于由块状衬底形成的鳍中。这样的非平面器件可以称为多栅极finFET。多栅极finFET可以具有横跨鳍式硅体的栅电极以形成沟道区域。发明内容本发明的实施例提供了一种半导体器件,包括:衬底;至少一个半导体鳍,存在于所述衬底上,所述半导体鳍上具有至少一个凹槽;以及至少一个外延结构,存在于所述半导体鳍的所述凹槽中,其中,所述外延结构的最顶位置的n-型杂质浓度低...
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