技术编号:11586681
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件相关申请的交叉引用于2015年12月18日提交的日本专利申请No.2015-247784的公开,包括说明书、附图、以及摘要,通过引用整体合并于此。技术领域本发明涉及半导体器件,并且更具体地涉及布线衬底和半导体芯片通过中介层电耦合的半导体器件。背景技术日本未审专利申请公开No.2007-80946公开了一种具有通过中介层而被安装在布线衬底上的半导体芯片的半导体器件,在该半导体器件中在中介层中形成了与半导体芯片电耦合的内置电容器。日本未审专利申请公开No.2014-204057公开了一种具...
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