技术编号:11620071
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于模拟集成电路设计领域,具体涉及一种工作在亚阈区高精度低功耗低电压带隙基准源。背景技术带隙基准电压源模块广泛的应用各种模拟集成电路中,该模块专注于建立一个与电源、工艺和温度变化无关的直流电压。基准电压源模块的性能直接影响着整个电路系统的精度。随着目前芯片集成度越来越高,电源电压越来越低,带隙基准精度要求越来越高,传统结构的带隙基准面临极大的挑战,通常需要采用高阶温度补偿技术。传统的工作于低电源电压状态下的结构如图8所示,是通过运放使得两侧的电位相等,从而通过两侧电阻R1和R2上的压降相同...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。