技术编号：11621914
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体存储装置及其制造方法[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2016-13304号(申请日：2016年1月27日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。技术领域实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。背景技术作为半导体存储装置，已知有NAND(NotAND，与非)型闪存。发明内容本发明的实施方式提供一种能够降低制造成本的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：第一串单元，具备第一存储串，该第一存储串包含积层在半导体基板的上方的...
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