技术编号：11621940
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例是关于一种半导体元件及其制造的方法。背景技术半导体产业至今发展至纳米技术制程，以追求更高元件密度、更佳的效能以及更低的开销，在这样的挑战的下，元件的制造及设计扩展至三维的发展，如鳍式场效晶体管(finfieldeffecttransistor；FinFET)。鳍式场效晶体管包含加长的半导体鳍，往与基板面垂直的方向上延伸。场效晶体管的通道形成在此鳍内。在鳍的上方提供栅极(如：包覆栅极)。鳍式场效晶体管可以降低短通道效应(shortchanneleffect)。发明内容本发明的一实施例的...
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