技术编号:11621943
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,更详细地说,涉及在硅衬底的单面上具有镍膜的半导体器件。另外,本发明涉及制造这样的半导体器件的制造方法。背景技术在硅衬底中掺杂杂质而形成的半导体器件、例如功率MOSFET等纵型结构的半导体器件中,不仅在硅衬底的正面形成有电极,而且在硅衬底的背面也形成有电极。另外,在横型结构的半导体器件中也是,作为散热对策,采用了将硅衬底(硅晶片)的背面金属化,在芯片化后,通过高热传导的烧结型的金属膏剂进行芯片焊接的方法。作为将硅衬底的背面金属化的方法,代替装置价格和运转成本高的溅射法,对镀膜...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。