技术编号:11669328
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体纳米材料及其制备的技术领域,涉及纳米材料的制备及光催化降解污染物的研究。具体涉及三元氧化锌碲化锌碲纳米复合物的制备方法。背景技术氧化锌和碲化锌做为重要的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料,室温下的禁带宽度分别为3.2eV和2.26eV。氧化锌由于其宽的带隙,使得其在短波长光电子邻域具有潜在的应用。而且氧化锌和碲化锌是一种重要的半导体材料,具有诸多光学、电学、磁学等特性。使其在光催化、制氢、锂电池、太阳能电池领域具有广泛的应用前景。而且氧化锌和碲化锌复合材料同时具有两者共同的特性,且比两者...
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