技术编号:11669343
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及无机材料领域,尤其是涉及一种微波锂离子插层制备少层MoS2纳米片的方法。背景技术自从2004年英国曼彻斯特大学两位科学家安德烈·杰姆和克斯特亚·诺沃消洛夫成功剥离石墨烯以来,石墨烯材料凭借其优异的电学、光学、力学等性能,在锂离子电池、传感器等方面有了很大的应用。然后,本征的石墨烯没有带隙,这限制了其在电子器件和光电子器件的应用。这也就引起了人们对新的二维材料的研究,主要有过渡金属二硫化物(MoS2、WS2、TiS2等、过渡金属氧化物TiO2等,以及与石墨类似的氮化硼等,都是典型的非石墨...
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