技术编号：11679410
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及低电阻的高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜，特别涉及GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜及其纳米外延过生长方法。背景技术GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件是一种基于宽禁带半导体材料的电力电子器件。通过形成外延的AlGaN/GaN异质结，极化电场有效的调制了GaN的能带结构以及电荷的分布。这导致高电子迁移率晶体管在未人为掺杂的情况下，也能够形成面密度达1013cm-2的二维电子气。因为在材料中没有掺杂，电子在GaN的理论迁移率超过2000cm2/Vs。这就使得GaNHEMT理论上具有低...
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