技术编号:11679422
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法。背景技术在现代微纳功能器件制备中,很多物理性能的应用对材料的质量以及加工工艺提出了超高的要求。其中稀有金属,过渡金属,三五族金属在制备成超薄薄膜的情况下,材料将变得极其敏感。甚至化合物材料中不同的原子比在物理特性上都往往呈现出千差万别的特性。甚至常用的水,氧气等物质更将极大地破坏材料特性(晶格结构,电学特性,磁学特性等)。为此在加工中要求这种敏感材料与水,氧气等物质实现完全隔离,以获得高质量的材料,实现器件物理特性。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。