技术编号：11679494
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上涉及硅穿孔结构。更具体地说，本发明涉及硅穿孔结构的电源和接地设计。背景技术半导体装置封装一直受到电子产品的设计者和制造商的大量关注。这种关注是基于对具有更大效率、更高性能和更小尺寸的产品的市场需求。大功率半导体装置在封装方面存在额外的挑战，因为应该小心控制封装的主要电流路径(包含衬垫、触点和迹线)的阻力，以便避免效率降低或过度发热。大功率半导体装置可包含装置，例如场效应晶体管(FET)、金属氧化物半导体FET(MOSFET)、绝缘栅极FET(IGFET)、闸流晶体管、双极晶体管、二极...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。