技术编号：11679748
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种提供硫化钼薄膜发光特性的方法，特别涉及一种铒掺杂的硫化钼薄膜及其制备方法。背景技术MoS2，又称为辉钼，为常温下呈金属光泽的黑色固体物质，具有优异的化学稳定性、热稳定性(熔点1185℃)和润滑性，通常用于机械、切削工具的表面涂层或润滑剂。块体MoS2为间接带隙(1.2eV)半导体，结构上，MoS2呈六方密堆积的石墨层状结构，层与层间由弱相互作用的范德瓦耳斯力相结合。与石墨容易剥离为单原子层的石墨烯相似，通过微机械剥离辉钼也容易成为单层MoS2膜（参见文献：S.Bertolazzi,...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。