技术编号：11684389
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种二硫化钼/石墨烯层状组装体的制备方法，属于半导体薄膜材料制备领域。背景技术二维层状材料二硫化钼、石墨烯因为其独特的平面结构而产生的强电子-空穴限域、柔韧性、高透明性等性质，使其在下一代更薄、更灵活、高性能的光电器件领域都有较为广泛的应用。但是单独二硫化钼制备而成的光电晶体管具有低的光响应7.5mA/W，这是因为二硫化钼的低载流子迁移率，另外还有器件中二硫化钼和电极间形成的肖特基结(受电极材料的调控)的影响。又因为石墨烯的吸光度仅有可见光的2.3％，单独石墨烯制备的光电探测器的光响应...
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