技术编号:11688147
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料的生长方法,属于晶体材料技术领域。背景技术作为第三代宽带隙半导体材料的一员,相对于常见的硅(Si)和砷化镓(GaAs)等半导体材料,碳化硅材料具有禁带宽度大,载流子饱和迁移速度高,热导率高,临界击穿场强高等诸多优异的性质。基于这些优良的特性,碳化硅材料是制备高温电子器件、高频大功率器件的理想材料。目前,碳化硅晶体材料在应用方面仍然存在一些不足之处,例如作为衬底外延氮化物时,会产生大量缺陷,这是由于失配度过大;制作电力电子器件的增益电流较小;作为光学元件时,因...
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