技术编号:11692474
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种形成半导体光学器件类型的半导体激光器二极管(LD)的方法以及由此形成的LD。背景技术多个现有文献已报告了形成所谓的掩埋异质结构(BH)类型的LD的方法。一种用于BH-LD的典型方法包括如下步骤:(a)制备包括下包覆层、有源层和上包覆层在内的半导体叠层;(b)通过利用沿着一方向延伸的带状掩模对下包覆层、有源层和上包覆层的一部分进行蚀刻来形成台面;(c)选择性地生长第一掩埋层以掩埋台面;(d)通过部分地熔化第一掩埋层来使台面顶部露出;(e)在第一掩埋层以及台面的露出顶部上生长第二掩埋层...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。