技术编号：11701106
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及镀膜领域，具体涉及一种镀膜设备的气体分布系统。背景技术进行镀膜一般是利用液体或气体为媒介，利用气体为媒介时，可将气体电离成等离子体后，进一步的沉积在待镀物上。多晶硅太阳能电池利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术，在硅片基板上连续镀氮化硅减反射膜而广泛应用于大规模生产。为了保证整个基板区域内沉积的氮化硅膜的均匀性和一致性，所述的PECVD系统中需要安装气体分布系统以保证整个反应区域内的气流均匀分布，这种装置即所谓的“喷淋管”和“沉积槽”，硅烷或氨气按照一定流量进入管道，再通过...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。