一种镀膜设备的气体分布系统的制作方法

本实用新型涉及镀膜领域，具体涉及一种镀膜设备的气体分布系统。

背景技术：

进行镀膜一般是利用液体或气体为媒介，利用气体为媒介时，可将气体电离成等离子体后，进一步的沉积在待镀物上。多晶硅太阳能电池利用等离子增强化学气相沉积(PECVD) 技术，在硅片基板上连续镀氮化硅减反射膜而广泛应用于大规模生产。为了保证整个基板区域内沉积的氮化硅膜的均匀性和一致性，所述的PECVD系统中需要安装气体分布系统以保证整个反应区域内的气流均匀分布，这种装置即所谓的“喷淋管”和“沉积槽”，硅烷或氨气按照一定流量进入管道，再通过带有密布小孔的气体喷淋管喷出。由于设备成本及生产成本的限制，大多数镀减反射膜的设备在设计时只能镀单层膜，这样就不能起到好的减反射效果。而使用双层镀膜设备需要增加沉积腔室，这就增加了设备成本投入和维护设备成本投入。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是镀双层膜需要增加沉积腔室，增加了成本投入，目的在于提供一种镀膜设备的气体分布系统，使镀单层膜的设备能够镀双层膜，解决了现有技术中使用双层镀膜设备需要增加沉积腔室的问题；避免了单层膜的减反射效果较弱的问题，还大大降低了设备成本投入和维护设备成本投入。

本实用新型通过下述技术方案实现：

一种镀膜设备的气体分布系统，包括6套工艺腔，每套工艺腔包括沉积槽、底部平台、氨气进入口、硅烷进入口、硅烷喷淋孔、氨气喷淋孔，所述沉积槽呈U型状，所述氨气喷淋孔设置在沉积槽底部，所述沉积槽开口的两端有沉积槽壁平台，所述硅烷喷淋孔设置在沉积槽壁平台的外边缘处，同一套工艺腔的两侧沉积槽壁平台的硅烷喷淋孔个数相同；所述底部平台与沉积槽底部端点相切并与沉积槽底部连接，底部平台的外边缘和沉积槽壁平台的外边缘在同一竖直平面上，氨气进入口和硅烷进入口设置在沉积槽壁外侧，所述氨气进入口通过管道与氨气喷淋孔接通，所述硅烷进入口通过管道与硅烷喷淋孔接通；所述6套工艺腔并列放置，且相邻工艺腔的沉积槽壁平台连接；所述工艺腔的硅烷喷淋孔的个数为22个或43个或64个，在同一条直线上等间距的分布在沉积槽壁平台的外边缘处。硅烷喷淋孔的个数不同可以改变硅烷的进气量，从而可制出双层减反射膜。

进一步地，一种镀膜设备的气体分布系统，所述6套相邻的工艺腔的硅烷喷淋孔的个数一致或者不一致。

进一步地，一种镀膜设备的气体分布系统，所述工艺腔的氨气喷淋孔均为22个，在同一条直线上等间距的设置在沉积槽底部。氨气喷淋孔和硅烷喷淋孔的直线均匀分布有助于其进气量的控制以及两种气体混合的均匀度，提高镀膜的质量。

进一步地，一种镀膜设备的气体分布系统，底部平台、沉积槽壁、沉积槽壁平台形成空腔，所述氨气进入口与氨气喷淋孔之间连接的管道放置在空腔中，硅烷进入口与硅烷喷淋孔之间连接的管道放置在底部平台、沉积槽壁、沉积槽壁平台形成的空腔中。

本实用新型与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：本实用新型使镀单层膜的设备能够镀双层膜，解决了现有技术中使用双层镀膜设备需要增加沉积腔室的问题；避免了单层膜的减反射效果较弱的问题，还大大降低了设备成本投入和维护设备成本投入。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定。在附图中：

图1为本实用新型单套工艺腔的结构示意图；

图2为本实用新型的22孔硅烷喷淋孔的俯视图；

图3为本实用新型的43孔硅烷喷淋孔的俯视图；

图4为本实用新型的64孔硅烷喷淋孔的俯视图；

图5为本实用新型的6套工艺腔组合的结构示意图。

附图中标记及对应的零部件名称：

1-沉积槽壁平台，2-氨气进入口，3-硅烷进入口，4-硅烷喷淋孔，5-氨气喷淋孔。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本实用新型作进一步的详细说明，本实用新型的示意性实施方式及其说明仅用于解释本实用新型，并不作为对本实用新型的限定。

实施例1

如图1和图5所示，一种镀膜设备的气体分布系统，包括6套工艺腔，每套工艺腔包括沉积槽、底部平台、氨气进入口2、硅烷进入口3、硅烷喷淋孔4、氨气喷淋孔5，所述沉积槽呈U型状，所述氨气喷淋孔5设置在沉积槽底部，所述沉积槽开口的两端有沉积槽壁平台 1，所述硅烷喷淋孔4设置在沉积槽壁平台1的外边缘处，同一套工艺腔的两侧沉积槽壁平台1的硅烷喷淋孔4个数相同；所述底部平台与沉积槽底部端点相切并与沉积槽底部连接，底部平台的外边缘和沉积槽壁平台1的外边缘在同一竖直平面上，氨气进入口2和硅烷进入口 3设置在沉积槽壁外侧，所述氨气进入口2通过管道与氨气喷淋孔5接通，所述硅烷进入口3 通过管道与硅烷喷淋孔4接通；所述6套工艺腔并列放置，且相邻工艺腔的沉积槽壁平台1 连接；所述工艺腔的硅烷喷淋孔4的个数为22个或43个或64个，在同一条直线上等间距的分布在沉积槽壁平台1的外边缘处。6套相邻的工艺腔的硅烷喷淋孔4的个数一致或者不一致。工艺腔的氨气喷淋孔5均为22个，在同一条直线上等间距的设置在沉积槽底部。所述底部平台、沉积槽壁、沉积槽壁平台1形成空腔，氨气进入口2与氨气喷淋孔5之间连接的管道放置在空腔中，硅烷进入口3与硅烷喷淋孔4之间连接的管道放置在底部平台、沉积槽壁、沉积槽壁平台1形成的空腔中。

如图5所示，在气体分布系统中，第一个工艺腔设置有64孔硅烷喷淋孔4(如图4所示)，其余5个工艺腔设置有22孔硅烷喷淋孔4(如图2所示)。用这样的镀膜装置加上合适的流量匹配，可以实现类似三层膜的效果，同时提高了下层膜的折射率，增加了钝化效果。

实施例2

本实施例与实施例1的区别在于，在气体分布系统中，第一个工艺腔设置有64孔硅烷喷淋孔4(如图4所示)，第二个工艺腔设置有43孔硅烷喷淋孔4(如图3所示)，其余四个工艺腔设置有22孔硅烷喷淋孔4(如图2所示)。用这样的镀膜装置加上合适的流量匹配，在增加了钝化效果的同时可以节省硅烷耗量。

实施例3

本实施例与实施例1的区别在于，在气体分布系统中，第一个工艺腔设置有64孔硅烷喷淋孔4(如图4所示)，第二个和第三个工艺腔设置有22孔硅烷喷淋孔4(如图2所示)，第四个工艺腔设置有43孔硅烷喷淋孔4(如图3所示)，其余两个工艺腔设置有22孔硅烷喷淋孔4(如图2所示)。用这样的镀膜装置加上合适的流量匹配，可以实现类似四层膜的镀膜效果。

以上所述的具体实施方式，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施方式而已，并不用于限定本实用新型的保护范围，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。