Ag合金溅射靶及Ag合金膜的制造方法与流程

本发明涉及一种用于形成Ag合金膜的Ag合金溅射靶及Ag合金膜的制造方法，所述Ag合金膜能够适用于例如显示器或LED等的反射电极膜、触控面板等的配线膜或透明导电膜等中。

本申请主张基于2015年2月27日于日本申请的专利申请2015-037949号、及2016年2月2日于日本申请的专利申请2016-017804号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术：

在触控面板或太阳能电池、有机EL元件等的电子器件中形成有图案化的导电膜(配线膜)，作为这些导电膜(配线膜)广泛使用电阻值较低的Ag膜及Ag合金膜。

然而，Ag及Ag合金根据制造工艺及使用中的环境的温度及湿度、进一步因Cl等引起的污染等，存在光学特性和电特性容易变差的问题。

因此，专利文献1中提出有能够进行改善了耐环境性的Ag合金膜的成膜的Ag合金溅射靶。

该专利文献1中，通过适量添加Sb及Mg来实现耐环境性的提高。

专利文献1：日本特开2014-159628号公报(A)

然而，近年来在显示器、LED、触控面板、有机EL元件等中逐渐推进电极图案及配线图案的微细化。其中，由于Ag容易发生所谓的离子迁移现象，因此在微细化的电极图案及配线图案中，施加电力时有可能发生短路。因此，要求耐离子迁移性尤其优异的Ag合金膜。

技术实现要素：

本发明是鉴于前述情况而完成的，其目的在于提供一种能够进行耐环境性(耐湿热性)及耐离子迁移性优异的Ag合金膜的成膜的Ag合金溅射靶、及使用该Ag合金溅射靶的Ag合金膜的制造方法。

为了解决上述课题，本发明的一方式的Ag合金溅射靶(以下称作“本发明的Ag合金溅射靶”)的特征在于，所述Ag合金溅射靶为如下组分：以总计0.1原子％以上且15.0原子％以下的范围含有选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素，进一步以0.5原子ppm以上且200原子ppm以下的范围含有S，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。

根据本发明的Ag合金溅射靶，以总计0.1原子％以上且15.0原子％以下的范围含有选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素，因此，提高成膜后的Ag合金膜的润湿性，并能够抑制膜的凝聚。由此，能够提高湿热环境下的特性的稳定性，并且能够提高耐离子迁移性。

并且，本发明的Ag合金溅射靶中，进一步以0.5原子ppm以上且200原子ppm以下的范围含有S，因此，在成膜后的Ag合金膜的表面上形成硫化银，可进一步提高耐离子迁移性。

在此，本发明的Ag合金溅射靶中，优选以总计1.0原子％以上且10.0原子％以下的范围含有选自Cu、Ti、Sn中的两种以上的元素。

此时，含有选自Cu、Ti、Sn中的两种以上的元素，因此，进一步提高成膜后的Ag合金膜的润湿性，且能够抑制膜的凝聚，由此，能够将Ag合金膜的电导性维持在较高的水平的同时提高耐离子迁移性。

并且，本发明的Ag合金溅射靶中，优选以总计0.1原子％以上的范围含有标准电极电位高于Ag的一种以上金属元素，且所述标准电极电位高于Ag的一种以上金属元素与Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti的总含量的合计在15.0原子％以下的范围内。

此时，通过在Ag中添加标准电极电位较高的金属元素来提升合金化的Ag的标准电极电位，并通过抑制Ag的离子化，能够进行进一步提高耐离子迁移性的Ag合金膜的成膜。

而且，本发明的Ag合金溅射靶中，优选所述不可避免的杂质中Y、Nd、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co的总含量为100质量ppm以下。

此时，硫化物的生成自由能较低的元素即Y、Nd、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co的总含量为100质量ppm以下，因此，通过S(硫)与这些元素进行反应来抑制S的消耗，能够可靠地在成膜后的Ag合金膜的表面上形成硫化银，从而能够进行可靠地提高了耐离子迁移性的Ag合金膜的成膜。并且，能够抑制因上述元素的硫化物而导致在溅射时产生异常放电和飞溅。

并且，本发明的Ag合金溅射靶中，优选所述不可避免的杂质中Na、Si、V、Cr的总含量为100质量ppm以下。

此时，由于对Ag的固溶度较小的元素即Na、Si、V、Cr的总含量为100质量ppm以下，因此，能够抑制这些元素富集在晶界等或形成化合物的现象，并且能够可靠地抑制溅射时的异常放电的产生。

本发明的另一方式的Ag合金膜的制造方法(以下称作“本发明的Ag合金膜的制造方法”)的特征在于，通过上述Ag合金溅射靶而进行成膜。

根据该结构的Ag合金膜的制造方法，所得到的Ag合金膜中含有选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素，因此，抑制膜的凝聚，提高耐湿热性及耐离子迁移性。并且，通过在Ag合金膜的表面上形成硫化银，从而能够大幅提高耐离子迁移性。

根据本发明，能够提供一种可进行耐环境性(耐湿热性)及耐离子迁移性优异的Ag合金膜的成膜的Ag合金溅射靶、及使用该Ag合金溅射靶的Ag合金膜的制造方法。

附图说明

图1A为表示在实施例中进行离子迁移评价的结果的一例的图，并表示本发明例25的结果。示出了与用灰色表示的三个基板对应的区域、及与用白色表示的两个Ag合金膜对应的区域。

图1B为表示在实施例中进行离子迁移评价的结果的一例的图，并表示比较例14的结果。示出了与用灰色表示的三个基板对应的区域、及与用白色表示的两个Ag合金膜对应的区域。

具体实施方式

以下，对本发明的一实施方式的Ag合金溅射靶、及Ag合金膜的制造方法进行说明。

本实施方式的Ag合金溅射靶为进行Ag合金膜的成膜时所使用的溅射靶。其中，通过本实施方式的Ag合金膜的制造方法而得到的Ag合金膜，作为例如触控面板或太阳能电池、有机EL元件等的电子器件的导电膜及配线膜而使用。

＜Ag合金溅射靶＞

本实施方式的Ag合金溅射靶为如下组分：以总计0.1原子％以上且15.0原子％以下的范围含有选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素，进一步以0.5原子ppm以上且200原子ppm以下的范围含有S，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成，或者该Ag合金溅射靶为如下组分：具有上述组分，并且为以0.1原子％以上的范围含有标准电极电位高于Ag的一种以上金属元素，且标准电极电位高于Ag的一种以上金属元素与Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti的总含量的合计在15.0原子％以下的范围内，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。另外，S(硫)以硫化银(Ag₂S)分散在靶中。并且，在Ag合金溅射靶中，银的平均晶体粒径在20μm以上且200μm以下的范围内。

另外，本实施方式中，所述不可避免的杂质中Y、Nd、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co的总含量为100质量ppm以下。

而且，本实施方式中，所述不可避免的杂质中Na、Si、V、Cr的总含量为100质量ppm以下。

以下，对如上所述规定本实施方式的Ag合金溅射靶的组分的理由进行说明。

(Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti的总含量：0.1原子％以上且15.0原子％以下)

上述Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti这种元素在成膜后的Ag合金膜中对银原子具有钉扎效果，并且具有抑制因热或电化学反应而引起的膜的凝聚及移动的作用效果。由此，提高Ag合金膜的耐湿热性及耐离子迁移性。

在此，选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素的总含量小于0.1原子％时，有可能无法完全发挥上述作用效果。另一方面，若选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素的总含量大于15.0原子％，则成膜后的Ag合金膜的电阻上升，有可能导致导电性降低。

根据这种理由，本实施方式中将Ag合金溅射靶中的选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素的总含量设定在0.1原子％以上且15.0原子％以下的范围内。

另外，为了通过抑制膜的凝聚来可靠地提高耐湿热性及耐离子迁移性，优选将选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素的总含量的下限设为0.2原子％以上，进一步优选设为1.0原子％以上。

并且，为了可靠地确保成膜后的Ag合金膜的导电性，优选将选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素的总含量的上限设为10.0原子％以下，进一步优选设为5.0原子％以下。

而且，为了将成膜后的Ag合金膜的导电性可靠地维持在较高的水平，优选以总计1.0原子％以上且10.0原子％以下的范围含有选自Cu、Ti、Sn中的两种以上的元素。

(S：0.5原子ppm以上且200原子ppm以下)

S(硫)浓集在成膜后的Ag合金膜的表面上并在Ag合金膜的最表面上形成较薄的硫化银被膜，具有大幅提高耐离子迁移性的作用效果。

在此，S的含量小于0.5原子ppm时，有可能无法完全发挥上述作用效果。另一方面，若S的含量大于200原子ppm，则有可能使Ag合金膜的光学特性和电特性变差。并且，靶内存在过多的硫化银，有可能在溅射时容易产生异常放电。

根据这种理由，本实施方式中将Ag合金溅射靶中的S的含量设定在0.5原子ppm以上且200原子ppm以下的范围内。

另外，为了通过可靠地在Ag合金膜的最表面上形成硫化银被膜来可靠地提高耐离子迁移性，优选将S的含量的下限设为1原子ppm以上，进一步优选设为5原子ppm以上。

并且，为了可靠地抑制Ag合金膜的光学特性和电特性的变差，并且抑制异常放电的产生，优选将S的含量的上限设为100原子ppm以下，进一步优选设为50原子ppm以下。

(标准电极电位高于Ag的金属元素的总含量：0.1原子％以上且标准电极电位高于Ag的金属元素的总含量与Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti的总含量的合计为15.0原子％以下)

上述标准电极电位高于Ag的金属元素(Pd、Pt、Au)具有通过与Ag合金化来提升Ag合金的标准电极电位的效果。因此，通过抑制Ag的离子化而能够进一步提高耐离子迁移性。另外，通过抑制Ag的离子化的效果，也能够抑制因Cl引起的对Ag的电化学性腐蚀反应。

在此，上述标准电极电位高于Ag的金属元素的总含量小于0.1原子％时，有可能无法完全发挥上述作用效果。另一方面，若上述标准电极电位高于Ag的金属元素的总含量与Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti的总含量的合计大于15.0原子％，则成膜后的Ag合金膜中电阻上升，有可能导致导电性下降。

根据这种理由，本实施方式中将Ag合金溅射靶中的标准电极电位高于Ag的一种以上的金属元素的总含量设定在0.1原子％以上，且将该标准电极电位高于Ag的一种以上的金属元素的总含量与Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti的总含量的合计设定在15.0原子％以下的范围内。

另外，为了提高Ag合金的标准电极电位并进一步提高耐离子迁移性，优选将标准电极电位高于Ag的金属元素的总含量的下限设为0.5原子％以上，进一步优选设为1.0原子％以上。

并且，为了可靠地确保成膜后的Ag合金膜的导电性，优选将标准电极电位高于Ag的金属元素的总含量的上限与Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti的总含量的合计设为10.0原子％以下，更优选设为5.0原子％以下。

(Y、Nd、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co的总含量：100质量ppm以下)

不可避免的杂质中Y、Nd、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co这种元素的硫化物生成自由能较低，因此，与S(硫)进行反应后容易形成硫化物。因此，导致S(硫)被消耗，从而抑制在Ag合金膜的最表面上形成硫化银被膜，有可能无法充分提高耐离子迁移性。

根据这种理由，本实施方式中，在Ag合金溅射靶中，不可避免的杂质中Y、Nd、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co的总含量限制在100质量ppm以下。

另外，为了抑制这些元素的硫化物的形成并可靠地形成硫化银被膜来提高耐离子迁移性，优选将不可避免的杂质中Y、Nd、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co的总含量设为50质量ppm以下，进一步优选设为10质量ppm以下。

(Na、Si、V、Cr的总含量：100质量ppm以下)

不可避免的杂质中Na、Si、V、Cr这种元素对Ag的固溶度较小，因此，偏析于Ag合金溅射靶的晶界，例如与氧进行反应后形成氧化物。Ag合金溅射靶中存在氧化物，由此，有可能在溅射中产生异常放电及飞溅。并且，Na、Si、V、Cr这种元素在成膜后的Ag合金膜中也容易偏析于晶界，且在湿热环境下这些元素氧化而Ag合金膜的结晶性降低，从而有可能降低耐环境性。

根据这种理由，本实施方式中，在Ag合金溅射靶的不可避免的杂质中Na、Si、V、Cr的总含量限制在100质量ppm以下。

另外，为了进一步抑制异常放电次数，优选将不可避免的杂质中Na、Si、V、Cr的总含量设为50质量ppm以下，进一步优选设为10质量ppm以下。

＜Ag合金溅射靶的制造方法＞

接着，对本实施方式所涉及的Ag合金溅射靶的制造方法进行说明。

首先，作为熔化原料准备纯度99.9质量％以上的Ag、及纯度99.9质量％以上的Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti，进一步作为标准电极电位高于Ag的金属元素，准备纯度99.9质量％以上的Pd、Pt、Au。另外，S(硫)使用纯度99.9质量％以上的硫化银(Ag₂S)。

在此，降低不可避免的杂质中Y、Nd、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co的总含量、及Na、Si、V、Cr的总含量时，通过ICP分析等来分析Ag原料中所含的这些元素，并进行分选后使用。另外，为了可靠地降低不可避免的杂质中Y、Nd、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co的总含量、及Na、Si、V、Cr的总含量，优选用硝酸或硫酸等浸出Ag原料后，使用规定的Ag浓度的电解液来进行电解精炼。

称量出分选后的Ag原料、添加元素(Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti、Pd、Pt、Au)及硫化银，以使其成为规定组分。接着，在熔化炉中，在高真空或惰性气体气氛下熔化Ag，将所得到的熔融液中添加规定量的添加元素及硫化银。之后，在真空或惰性气体气氛中进行熔化，从而制作出如下组分的Ag合金铸锭：以总计0.1原子％以上且15.0原子％以下的范围含有选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素，进一步以0.5原子ppm以上且200原子ppm以下的范围含有S，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成；及以总计0.1原子％以上且15.0原子％以下的范围含有选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素，进一步以总计0.1原子％以上的范围含有标准电极电位高于Ag的一种以上金属元素(Pd、Pt、Au)，且该标准电极电位高于Ag的一种以上金属元素(Pd、Pt、Au)与Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti的总含量的合计在15.0原子％以下的范围内，进一步以0.5原子ppm以上且200原子ppm以下的范围含有S，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。

通过对所得到的Ag合金铸锭进行冷轧及热处理之后，进行机械加工来制造出本实施方式所涉及的Ag合金溅射靶。另外，Ag合金溅射靶的形状并无特别限定，可以为圆板型、角板型，也可以为圆筒型。

＜Ag合金膜的制造方法＞

本实施方式的Ag合金膜的制造方法使用上述本实施方式的Ag合金溅射靶而进行成膜。对通过该制造方法成膜得到的Ag合金膜的膜厚并无特别限制，但用作透明导电膜时，优选将该Ag合金膜的膜厚设为5nm以上且20nm以下的范围，用作导电膜及配线膜时，优选将该Ag合金膜的膜厚设为5nm以上且500nm以下的范围。

并且，用作反射膜时，优选将该Ag合金膜的膜厚设在80nm以上且500nm以下的范围内。

该Ag合金膜中，硫化银(Ag₂S)作为被膜形成于该Ag合金膜的最表面，且该硫化银被膜作为保护膜发挥作用，从而提高耐离子迁移性。

另外，本实施方式所涉及的Ag合金膜的制造方法中，进行Ag合金膜的成膜时，优选应用磁控溅射方式，作为电源可选择直流(DC)电源、高频(RF)电源、中频(MF)电源、交流(AC)电源中的任一个。

作为成膜的基板，能够使用玻璃板或箔、金属板或箔、树脂板或树脂薄膜等。并且，对于成膜时的基板的配置，能够采用静止对置方式或直列方式等。

根据如上构成的本实施方式的Ag合金溅射靶，以总计0.1原子％以上且15.0原子％以下的范围含有选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素，因此在成膜后的Ag合金膜中，润湿性提高而抑制膜的凝聚，从而提高耐湿热性。具体而言，在湿热环境下能够抑制Ag合金膜的光学特性及电特性的降低。

并且，本实施方式的Ag合金溅射靶中，进一步以0.5原子ppm以上且200原子ppm以下的范围含有S，因此在所成膜的Ag合金膜的最表面上形成硫化银被膜，能够大幅提高耐离子迁移性。因此，也可适用于微细化的配线图案及电极图案。

并且，本实施方式的Ag合金溅射靶中，以总计0.1原子％以上的范围含有标准电极电位高于Ag的金属元素，且该标准电极电位高于Ag的金属元素与Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti的总含量的合计在15.0原子％以下的范围内，因此，在成膜后的Ag合金膜中，Ag合金的标准电极电位提高并抑制Ag的离子化，从而能够进一步提高耐离子迁移性。

并且，本实施方式的Ag合金溅射靶中，将不可避免的杂质中硫化物生成自由能较低的Y、Nd、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co的总含量限制在100质量ppm以下，因此，能够抑制这些元素形成硫化物，并在可靠地成膜的Ag合金膜的最表面上形成硫化银被膜，从而能够提高耐离子迁移性。并且，能够抑制因上述元素的硫化物而引起的溅射时的异常放电及飞溅的产生，从而能够稳定地进行成膜。

另外，本实施方式的Ag合金溅射靶中，将不可避免的杂质中对Ag的固溶度较小的元素即Na、Si、V、Cr的总含量限制在100质量ppm以下，因此，能够抑制这些元素偏析于晶界而生成氧化物，从而能够抑制溅射时的异常放电和飞溅的产生。

并且，成膜的Ag合金膜中，也抑制这些元素偏析于晶界，从而能够抑制Ag合金膜的耐环境性下降。

由于本实施方式的Ag合金膜的制造方法通过上述本实施方式的Ag合金溅射靶而进行成膜，因此成膜后的Ag合金膜的耐湿热性优异，且在湿热环境下也能够使光学特性及电特性稳定化。并且，该Ag合金膜的耐离子迁移性尤其优异，因此，即使在形成微细的配线图案及电极图案的情况下，也能够抑制配线之间发生短路。

另外，本实施方式中，作为添加S的原料，使用硫化银，因此能够以较好的成品率添加S，并能够以较高的精确度调整S的含量。

并且，本实施方式中，用硝酸或硫酸等浸出Ag原料后，使用规定的Ag浓度的电解液进行电解精炼，因此，Ag原料中的杂质量减少，可制造出如上所述限制了不可避免的杂质量的Ag合金溅射靶。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限于此，在不脱离其发明的技术思想的范围内可进行适当变更。

例如，本实施方式中，对将成膜后的Ag合金膜用作例如触控面板或太阳能电池、有机EL元件等的电子器件的导电膜及配线膜的情况进行了说明，但并不限于此，也可用于其它用途。

并且，对于Ag合金膜的膜厚，不受本实施方式的限定而根据使用用途可进行适当变更。

而且，本实施方式中，对将不可避免的杂质中Y、Nd、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co的总含量限制在100质量ppm以下、进一步将不可避免的杂质中Na、Si、V、Cr的总含量限制在100质量ppm以下的情况进行了说明，但并不限于此，只要以总计0.1原子％以上且15.0原子％以下的范围含有选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素，进一步以0.5原子ppm以上且200原子ppm以下的范围含有S即可。此时，无需严格地进行Ag原料的分选。

实施例

以下，对为了确认本发明的有用性而进行的确认实验的结果进行说明。

＜Ag合金溅射靶＞

首先，作为熔化原料，准备纯度99.9质量％以上的Ag、纯度99.9质量％以上的Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti，进一步作为标准电极电位高于Ag的金属元素，准备纯度99.9质量％以上的Pd、Pt、Au。而且，准备纯度99.9质量％以上的硫化银(Ag₂S)。

在此，为了减少杂质元素的含量，采用了用硝酸或硫酸浸出Ag原料后，使用规定的Ag浓度的电解液来进行电解提纯的方法。对通过该提纯方法让这些杂质减少的Ag原料进行基于ICP法的杂质分析，并将Y、Nd、Ti、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co的总含量为100质量ppm以下、及Na、Si、V、Cr的总含量为100质量ppm以下的Ag原料作为溅射靶的制造原料。

称量出分选后的Ag原料和所要添加的Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti、Pd、Pt、Au及硫化银(Ag₂S)，以使其成为规定的组分。接着，在高真空或惰性气体气氛中熔化Ag，在所得到的Ag熔融液中添加Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti、Pd、Pt、Au及硫化银(Ag₂S)，并在真空或惰性气体气氛中进行熔化。之后，将其浇铸在铸模中，制造Ag合金铸锭。在此，熔化Ag时，一旦气氛为真空(5×10^-2Pa以下)之后，在由Ar气体取代的气氛下进行熔化。并且，在Ar气体气氛中添加Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti、Pd、Pt、Au及硫化银(Ag₂S)。

另外，本发明例27～29中使用没有进行如上所述分选的Ag原料，制造了Ag合金溅射靶。

接下来，对所得到的Ag合金铸锭以70％的压下率进行冷轧之后，在大气中进行600℃下保持1小时的热处理。并且，通过进行机械加工，制作具有直径152.4mm、厚度6mm的大小的Ag合金溅射靶。另外，所制造的Ag合金溅射靶中，银的平均晶体粒径在20μm以上且200μm以下的范围内。而且，靶中分散有硫化银(Ag₂S)。

(组分分析)

从铸造后的Ag合金铸锭中采集分析用样品，根据ICP发射光谱分析法对该样品进行分析。将分析结果示于表1～4。

(异常放电次数)

利用铟焊锡在无氧铜制的垫板上焊接上述本发明例及比较例的Ag合金溅射靶，从而制作靶复合体。

在一般的磁控溅射装置中安装上述靶复合体，并排气至1×10^-4Pa为止之后，在Ar气体压力：0.5Pa、输入功率：直流1000W、靶基板间距离：60mm的条件下进行溅射。对于溅射时的异常放电次数，通过MKS Instruments公司制DC电源(RPDG-50A)的弧计数功能，测量从放电开始起1小时内的异常放电次数。将评价结果示于表5～8。

＜Ag合金膜＞

在溅射装置中安装上述本发明例及比较例的Ag合金溅射靶，并在下述条件下进行Ag合金膜的成膜。

基板：已清洗的玻璃基板(Corning公司制EAGLE XG)

极限真空度：5×10^-5Pa以下

使用气体：Ar

气体压力：0.5Pa

溅射功率：直流200W

靶/基板间距离：70mm

膜厚：100nm

(离子迁移评价)

通过旋转涂布机在已制作的Ag合金膜上涂布抗蚀剂(TOKYO OHKA KOGYO.CO.,LTD.制OFPR-8600)，并以110℃进行预烘后曝光，之后，通过显影液(TOKYO OHKA KOGYO.CO.,LTD.制NMD-W)对图案进行显影，并以150℃进行后烘。由此，在Ag合金膜上形成宽100μm、间隔100μm的梳型配线图案。之后，使用蚀刻液(KANTO CHEMICAL CO.,INC.制SEA-5)进行蚀刻，并使用光刻胶剥离剂(TOKYO OHKA KOGYO.CO.,LTD.制TOK-104)来剥离光刻胶。由此，将Ag合金膜加工成上述梳型配线图案形状，并作为测定试样。

接着，在ESPEC CORP.制离子迁移评价系统(AMI-50-U)中，连接测定试样，并在温度85℃-湿度85％、施加直流电压10V的条件下进行100小时的保持试验，根据测定各配线间的绝缘电阻值来记录短路时间。作为短路的判定，将配线间电阻为1MΩ以下的时间作为短路时间。将评价结果示于表5～8。

并且，将本发明例25及比较例14的测定试样的离子迁移评价结果的图片示于图1A及图1B。

(配线电阻的评价)

通过与上述同样的步骤在所得到的Ag合金膜中实施光微影，形成宽100μm、长200μm的配线图案，并作为配线膜。

利用source meter 2400(KEITHLEY.INC制)，通过四端子法测定该配线膜的电阻值。

另外，在温度85℃、湿度85％的恒温恒湿槽中进行保持100小时的恒温恒湿试验前后进行电阻值的测定，并求出其变化率。将评价结果示于表4～6。另外，若变化率的绝对值较小，则湿热环境下的特性的稳定性较高，耐湿热性优异。

选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素的总含量小于0.1原子％的比较例1、3、5、7、9、11、16中，在恒温恒湿试验之后配线电阻大幅变化，耐湿热性不够充分。

选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素的总含量大于15.0原子％的比较例2、4、6、8、10、12、17中，Ag合金膜的配线电阻较高，作为配线膜电特性不够充分。

Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti的总含量与标准电极电位高于Ag的元素(Pd、Pt、Au)的含量的合计大于15.0原子％的比较例13中，Ag合金膜的配线电阻较高，作为配线膜电特性不够充分。

S的含量小于0.5原子ppm的比较例14中，在离子迁移评价中短路时间较短且为6小时。并且，如图1B所示，确认到Ag合金的配线之间生长有Ag的情形。

S的含量大于100原子ppm的比较例15中，异常放电次数多达89次，无法稳定地进行溅射。

相对于此，以总计0.1原子％以上且15.0原子％以下的范围含有选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素、进一步以0.5原子ppm以上且200原子ppm以下的范围含有S的本发明例1～42中，配线电阻较低，进行恒温恒湿试验之后配线电阻也没有大幅变化，耐湿热性优异。并且，在离子迁移评价中短路时间也足够长，耐离子迁移性也优异。尤其，本发明例25中，如图1A所示，完全没有确认到Ag合金的配线之间生长有Ag的情形。

并且，含有标准电极电位高于Ag的元素(Pd、Pt、Au)的本发明例27～31、42中，确认到耐离子迁移性更加优异。

另外，不可避免的杂质中Y、Nd、Ti、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co的总含量、及Na、Si、V、Cr的总含量较多的本发明例32～34中，确认到耐离子迁移性稍微较差。

而且，以总计1.0原子％以上且10.0原子％以下的范围含有选自Cu、Ti、Sn中的两种以上的元素的本发明例16、38、39、41中，配线电阻较低，耐离子迁移性优异。

由以上的确认实验的结果确认到，根据本发明例，能够提供一种可进行耐湿热性及耐离子迁移性优异的Ag合金膜的成膜，并且可抑制产生异常放电等的Ag合金溅射靶及Ag合金膜。

产业上的可利用性

可进行耐环境性(耐湿热性)及耐离子迁移性更加优异的Ag合金膜的成膜，并且能够实现显示器、LED、触控面板等的高质量化及抑制质量变差。