采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金的方法

文档序号:3417373阅读:512来源:国知局
专利名称:采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金的方法
技术领域
本发明涉及的是一种金属间化合物合金靶材的制备方法,具体是一种采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金的方法。
背景技术
磁控溅射镀膜是一种新型的物理气相镀膜方式,较之较早点的蒸发镀膜方式,其很多方面的优势相当明显。作为一项已经发展的较为成熟的技术,磁控溅射已经被应用于许多领域。磁控溅射镀膜靶材分为金属溅射镀膜靶材,合金溅射镀膜靶材,陶瓷溅射镀膜靶材,硼化物陶瓷溅射靶材,碳化物陶瓷溅射靶材,氟化物陶瓷溅射靶材,氮化物陶瓷溅射靶材,氧化物陶瓷靶材等。Ti-Al合金靶材是多弧离子镀(Ti,Al) N薄膜的核心材料,要求其成分均勻,纯洁度高、致密。(Ti,Al)N薄膜较TiN薄膜具有更好的附着性,硬度HRC>70,韧性好,使用温度比TiN膜约高200°C,使刀具寿命提高5-6倍,因此这种薄膜在刃具镀膜行业具有广阔的应用前景。目前国外广泛应用在汽车内燃机、精密器件的加工工业上的钻头、铣刀、车刀等刃具上,其加工精度高,延长自动生产线上使用时间,提高效率。目前对TiAl靶材的杂质成分控制在C<0. 03%, 0<0. 5%,H<0. 03%。TiAl合金靶材主要用于多弧离子镀膜。 由于该合金各成分组元熔点差别大,熔炼反应热高等特点,使得该合金在制备过程中存在明显的气孔,偏析等缺陷,同时也容易产生裂纹等严重质量问题。

发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足,针对TiAl合金的特征,提供一种采用真空自耗电弧炉熔炼用于刃具镀膜行业的TiAl合金的方法。该方法制备得到的TiAl合金无明显气孔、偏析等缺陷,组织大小均勻。本发的目的是通过以下技术方案实现的
本发明涉及一种采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金的方法,包括以下步骤
(a)、称料称取海绵态金属Ti与块体金属Al,混合;
(b)、压制电极将步骤(a)中混合好的金属Ti与Al压制成电极,每个电极控制在 2. 2 4. 0公斤,其中Ti与Al混合均勻布料;
(C)、焊接电极将步骤(b)中压制好的两个电极焊接成熔炼电极;
(d)、真空自耗熔炼一次锭将步骤(c)中焊接的TiAl电极在IOkg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼,采用直径为80mm的铜坩埚,熔炼出直径80mm的TiAl —次锭;
(e)、焊接二次熔炼电极将熔炼的一次锭用车床去头、平尾,每6个一次锭采用钨极氩弧焊焊接成二次电极;
(f)、真空自耗熔炼二次锭将焊接的TiAl二次电极在150kg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼,采用直径为120mm的铜坩埚,熔炼出直径120mm的TiAl 二次锭。优选的,步骤(a)中,所述称取的金属Ti与Al中,Ti的重量百分比含量为50 87. 5%, Al的重量百分比含量为12. 5 50%。
优选的,步骤(C)中,所述焊接是采用钨极氩弧焊焊接的。优选的,步骤(d)中,所述一次锭熔炼的电流为1.5 2.0kA,工作真空度为 1. 0X10E々a。优选的,步骤(f)中,所述二次锭熔炼的电流为3.0 3.6kA,工作真空度为 1. 0X10E々a。与现有技术相比,本发明具有的有益效果为本发明工艺简单,成本低廉,采用本发明的方法可制得无明显气孔、偏析等缺陷,组织大小均勻的TiAl合金靶材。


图1为实施例3的TiAl合金二次锭的示意图2为实施例3的TiAl合金二次锭的微观组织照片图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的实施例作详细说明,本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。实施例1
采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金,具体步骤如下
(a)、称料将金属Ti与金属Al按照质量比Ti87. 5%,Al 12. 5%的比例称取、混合;
(b)、压制电极将按比例称取混合的金属Ti与Al压制成电极,每个电极控制在2.2公
斤;
(C)、焊接电极将每两个压制好的电极采用钨极氩弧焊焊接成熔炼电极;
(d)、真空自耗熔炼一次锭将焊接的TiAl电极在IOkg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼, 电流2. OkA,工作真空度为1. OX IOE-1Pa,采用直径为80mm的铜坩埚,熔炼出直径80mm的 TiAl 一次锭;
(e)、焊接二次熔炼电极将熔炼的一次锭用车床去头、平尾,每6个一次锭采用钨极氩弧焊焊接成二次电极;
(f)、真空自耗熔炼二次锭将焊接的TiAl二次电极在150kg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼,电流3. 6kA,工作真空度为1. OX IOE-1Pa,采用直径为120mm的铜坩埚,熔炼出直径 120mm 的 TiAl 二次锭。实施例2
采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金,具体步骤如下
(a)、称料将金属Ti与金属Al按照质量比Ti75%,Al 25%的比例称取、混合;
(b)、压制电极将按比例称取混合好的金属Ti与Al压制成电极,每个电极控制在4.0 公斤;
(C)、焊接电极将每两个压制好的电极采用钨极氩弧焊焊接成熔炼电极; (d)、真空自耗熔炼一次锭将焊接的TiAl电极在IOkg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼, 电流1. 8kA,工作真空度为1. OX IOE-1Pa,采用直径为80mm的铜坩埚,熔炼出直径80mm的 TiAl 一次锭;(e)、焊接二次熔炼电极将熔炼的一次锭用车床去头、平尾,每6个一次锭采用钨极氩弧焊焊接成二次电极;
(f)、真空自耗熔炼二次锭将焊接的TiAl二次电极在150kg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼,电流3. 5kA,工作真空度为1. OX IOE-1Pa,采用直径为120mm的铜坩埚,熔炼出直径 120mm 的 TiAl 二次锭。实施例3
采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金,具体步骤如下
(a)、称料将金属Ti与金属Al按照质量比Ti64%,Al 36%的比例称取、混合;
(b)、压制电极将按比例称取混合好的金属Ti与Al压制成电极,每个电极控制在2.8 公斤;
(C)、焊接电极将每两个压制好的电极采用钨极氩弧焊焊接成熔炼电极;
(d)、焊接二次熔炼电极将焊接的TiAl电极在IOkg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼, 电流1. 5kA,工作真空度为1. OX IOE4Pa,采用直径为80mm的铜坩埚,熔炼出直径80mm的 TiAl 一次锭;
(e)、真空自耗熔炼二次锭将熔炼的一次锭用车床去头、平尾,每6个一次锭采用钨极氩弧焊焊接成二次电极;
(f)、真空自耗熔炼二次锭将焊接的TiAl二次电极在150kg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼,电流3. 4kA,工作真空度为1. OX IOE-1Pa,采用直径为120mm的铜坩埚,熔炼出直径 120mm 的 TiAl 二次锭。实施例4
采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金,具体步骤如下
(a)、称料将金属Ti与金属Al按照质量比Ti50%, Al 50%的比例称取、混合;
(b)、压制电极将按比例称取混合好的金属Ti与Al压制成电极,每个电极控制在3.4 公斤;
(C)、焊接电极将每两个压制好的电极采用钨极氩弧焊焊接成熔炼电极;
(d)、真空自耗熔炼一次锭将焊接的TiAl电极在IOkg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼, 电流1. 5kA,工作真空度为1. OX IOE4Pa,采用直径为80mm的铜坩埚,熔炼出直径80mm的 TiAl 一次锭;
(e)、焊接二次熔炼电极将熔炼的一次锭用车床去头、平尾,每6个一次锭采用钨极氩弧焊焊接成二次电极;
(f)、真空自耗熔炼二次锭将焊接的TiAl二次电极在150kg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼,电流3. 0 kA,工作真空度为1. OX IOE-1Pa,采用直径为120mm的铜坩埚,熔炼出直径 120mm 的 TiAl 二次锭。本发明工艺采用传统的真空自耗熔炼的方法,制备工艺简单,可通过简单的置换水冷坩埚来得到不同尺寸的合金铸锭,无需特别的熔炼装置;成本低廉,采用的原料直接为海绵钛和铝块,原料成本低廉,熔炼能耗低;采用本发明的方法可制得无明显气孔、偏析等缺陷,组织大小均勻的TiAl合金靶材铸锭。实施例1 4制得的TiAl合金二次锭铸锭表面均没有明显的气孔等缺陷,图1所示为实施例3的直径为120mm的TiAl合金二次锭的铸锭照片,可以看到铸锭表面没有明显的气孔等缺陷。图2所示为实施例3的TiAl 二次锭的微观组织照片,组织大小均勻,未见偏析,晶粒大小不均等缺陷。
权利要求
1.一种采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金的方法,其特征在于,包括以下步骤(a)、称料称取海绵态金属Ti与块体金属Al,混合;(b)、压制电极将步骤(a)中混合好的金属Ti与Al压制成电极,每个电极控制在 2. 2 4. 0公斤,其中Ti与Al混合均勻布料;(C)、焊接电极将步骤(b)中压制好的两个电极焊接成熔炼电极;(d)、真空自耗熔炼一次锭将步骤(c)中焊接的TiAl电极在IOkg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼,采用直径为80mm的铜坩埚,熔炼出直径80mm的TiAl —次锭;(e)、焊接二次熔炼电极将熔炼的一次锭用车床去头、平尾,每6个一次锭采用钨极氩弧焊焊接成二次电极;(f)、真空自耗熔炼二次锭将焊接的TiAl二次电极在150kg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼,采用直径为120mm的铜坩埚,熔炼出直径120mm的TiAl 二次锭。
2.根据权利要求1所述的采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金的方法,其特征在于, 步骤(a)中,所述称取的金属Ti与Al中,Ti的重量百分比含量为50 87. 5%,Al的重量百分比含量为12. 5 50%。
3.根据权利要求1所述的采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金的方法,其特征在于,步骤(c)中,所述焊接是采用钨极氩弧焊焊接的。
4.根据权利要求1所述的采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金的方法,其特征在于,步骤(d)中,所述一次锭熔炼的电流为1. 5 2. OkA,工作真空度为1. OX lOEla。
5.根据权利要求1所述的采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金的方法,其特征在于,步骤(f)中,所述二次锭熔炼的电流为3. 0 3. 6kA,工作真空度为1. OX ΙΟΕ—1!^。
全文摘要
本发明公开了一种采用真空自耗电弧炉熔炼TiAl合金的方法,步骤如下称取金属Ti与金属Al,混合;将混合好的金属Ti与Al分别压制成2.2~4.0公斤的电极;将两个电极焊接成熔炼电极;焊接的TiAl电极在10kg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼,熔炼出直径80mm的TiAl一次锭;将熔炼的一次锭用车床去头、平尾,每6个一次锭采用钨极氩弧焊焊接成二次电极;将焊接的TiAl二次电极在150kg真空自耗电弧熔炼炉进行熔炼,熔炼出直径120mm的TiAl二次锭。称取的金属Ti与金属Al中,Ti的重量百分比含量为50~87.5%,Al的重量百分比含量为12.5~50%。与现有技术相比,本发明工艺简单,成本低,可制得无明显气孔、偏析等缺陷,组织大小均匀的TiAl合金靶材。
文档编号C22B9/20GK102312111SQ20111026360
公开日2012年1月11日 申请日期2011年9月7日 优先权日2011年9月7日
发明者吕维洁, 张荻, 王敏敏, 王立强, 覃继宁, 陈科 申请人:上海交通大学
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