专利名称：一种用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统的制作方法
技术领域：
本发明新型涉及一种用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，属于物理冶金法提 纯多晶硅相关设备技术领域。
背景技术：
物理冶金法提纯多晶硅是指采用对冶金级的硅进行造渣、精炼、酸洗(湿法冶 金)、定向凝固等方式，将杂质去除，而提纯得到太阳能级多晶硅的方法，俗称物理法。基于物理冶金法提纯的原理研制的多晶硅冶炼炉一般需要在真空或封闭的条件 下工作。由于硅粉的密度比硅块的密度低了一半以上，因此在进行真空或保护气条件下熔 炼时，坩埚中的粉料熔化后只有加料时体积的一半，为了合理利用冶炼炉的容量，降低使用 成本等，必须进行加料。同时冶炼过程中进行除渣处理，需要加入添加剂，同样需要在真空 或保护气条件下进行。本发明的目的在于研制出一种用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，可以在真 空条件或保护气条件下实现不开炉盖连续加料。
发明内容
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案1. 一种用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，包括密封顶盖、加料室、加料管。 其特征在于密封顶盖设有通气管、密封阀门；加料管上设有加料阀门，与密封顶盖和加料 室共同构成密封系统。2.如项1所述的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，其特征在于加料室的 体积根据多晶硅熔炼炉定做，一般为熔炼炉容量的10% -30%为宜。3.如项1所述的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，其特征在于加料管伸 入熔炼炉炉体中，需要耐受高温，加料管的材料由二氧化硅、氧化铝、石墨或其他耐高温材 料制成。4.如项1所述的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，其特征在于加料阀门 为铜或聚四氟乙烯制成。5.如项1所述的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，其特征在于密封顶盖 安装有玻璃窗口。真空连续加料系统安装于多晶硅熔炼炉上方，可以在真空条件或保护气条件下实 现不开炉盖连续加料。
附图为本发明的结构示意图，其中1为通气管、2为密封阀门、3为密封顶盖、4为加 料室、5为加料阀门、6为加料管。
具体实施例方式将原料放入坩埚中，进行熔炼。同时关闭加料阀门5，打开密封顶盖3的禁固装置， 开启密封顶盖3，在加料室中加入适当的原料，关闭密封顶盖3，关闭密封阀门2。将抽气管 接到通气管1上，打开密封阀门2，对加料室进行抽真空。抽完真空，关闭密封阀门2，或可 根据需要充入保护气体再关闭密封阀门2。待原料熔化后，打开加料阀门5，由小到到大仔细控制，使原料通过加料管加入到 坩埚中。通过密封顶盖3上的观察窗口观察加料的情况，加料完关闭加料阀门5即可。需 要进行下次加料或加入添加剂，重复上述步骤即可。
权利要求
1.一种用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，包括密封顶盖、加料室、加料管。其特 征在于密封顶盖设有通气管、密封阀门；加料管上设有加料阀门，与密封顶盖和加料室共 同构成密封系统。
2.如权利要求1所述的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，其特征在于加料室 的体积根据多晶硅熔炼炉定做，一般为熔炼炉容量的10% -30%为宜。
3.如权利要求1所述的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，其特征在于加料管 伸入熔炼炉炉体中，需要耐受高温，加料管的材料由二氧化硅、氧化铝、石墨或其他耐高温 材料制成。
4.如权利要求1所述的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，其特征在于加料阀 门为铜或聚四氟乙烯制成。
5.如权利要求1所述的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，其特征在于密封顶盖安装有玻璃窗口。
全文摘要
一种用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，可以在真空条件或保护气条件下实现不开炉盖连续加料。本发明中的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，包括通气管、密封阀门、密封顶盖、加料室、加料阀门、加料管。真空连续加料系统安装于多晶硅熔炼炉上方，可以在真空条件或保护气条件下实现不开炉盖连续加料。
文档编号C30B28/06GK102140685SQ201010105399
公开日2011年8月3日 申请日期2010年2月3日 优先权日2010年2月3日
发明者吕佩文, 林钟潮, 柯永灿, 董建平, 陈伦泰, 黄丰, 黄顺乐 申请人:中国科学院福建物质结构研究所