1.一种Ag合金溅射靶，其特征在于，
所述Ag合金溅射靶为如下组分：以总计0.1原子％以上且15.0原子％以下的范围含有选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素，进一步以0.5原子ppm以上且200原子ppm以下的范围含有S，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。
2.根据权利要求1所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，
以总计1.0原子％以上且10.0原子％以下的范围含有选自Cu、Ti、Sn中的两种以上的元素。
3.根据权利要求1或2所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，
以总计0.1原子％以上的范围含有标准电极电位高于Ag的一种以上金属元素，且所述标准电极电位高于Ag的一种以上金属元素与Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti的总含量的合计在15.0原子％以下的范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，
所述不可避免的杂质中Y、Nd、Ni、Mo、W、Zn、Ga、Al、Fe、Co的总含量为100质量ppm以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的Ag合金溅射靶，其特征在于，
所述不可避免的杂质中Na、Si、V、Cr的总含量为100质量ppm以下。
6.一种Ag合金膜的制造方法，其特征在于，
通过权利要求1至5中任一项所述的Ag合金溅射靶而进行成膜。