专利名称：对向异材磁控溅射靶制备合金薄膜工艺方法
技术领域：
本发明属于利用磁控溅射靶制备合金薄膜之工艺方法。
目前，利用磁控溅射制备合金薄膜传统的方法是采用合金靶及复合靶，而且合金靶及复合靶要求事先制备好符合合金比例要求的合金靶材及复合靶材，然后以溅射靶制备合金薄膜层或化合物薄膜，此种薄膜形成容易，工艺也较简单，但其不足之处是合金比例难于控制，而且最大缺点是无法做到随时或任意调整合金比例，这样难于达到对产品薄膜形成的高技术要求。
为解决以上合金薄膜形成方法之不足，本发明的目的提供一种对向异材磁控溅射靶制备合金薄膜工艺方法，分别利用控制各靶溅射功率来控制单一靶材的溅射速率，以达到随时控制合金比例的目的。
本发明对向导材磁控溅射靶制备合金薄膜工艺是这样实现的此工艺方法是由对向异材磁控溅射靶装置及控制工艺方法两部分组成，其中溅射靶之结构是由一对向磁控溅射靶组成，其中一个为靶1，另一个为靶2，两个靶互相对应，中间留有一定间隔，在其中一个靶的上面设有靶材A，另一个靶上设有靶材B(如
图1所示)，则溅射在表面上的合金薄膜成份为A+B，其加工工艺过程是用控制每个靶的溅射功率的方法控制每个靶材不同的溅射速率，从而可以得到基片上任一金属比例100∶5～100∶100之间任意比例的合金，并可在工作过程中随时调节改变合金比例。
本发明之优点结构简单，安装使用方便，在对靶上设有两种不同金属的靶材就可以在一定范围内(100∶5～100∶100)制备任意比例的合金薄膜。
本发明之详细结构与工艺方法由以下实施例及附图给出。
图1为对向异材磁控溅射靶制备合金及化合物工艺方法对向靶结构图。
其结构由附图所示，1为靶1，2为靶材A，3为靶材B，4为靶2，工作时控制各靶的溅射功率，这时两种靶材的溅射速率不同，就可以在基片表面形成A+B不同比例的合金，其任一种金属比例范围为100∶5～100∶100。
例靶材A为Fe靶材B为Cu在靶材为Fe的靶与基片之间加功率300W在靶材为Cu的靶与基片之间加功率230W则可以在基片上得Fe和Cu比例为100∶70的合金。
权利要求
1.一种对向异材磁控溅射靶制备合金薄膜之工艺方法，它是由对向溅射靶组成，其特征是在其中一个靶(1)的上面设有靶材A，另一个靶(2)上设有靶材B，则溅射基片表面上的合金薄膜成份为A+B。
2.按照权利要求1所述的工艺方法，其特征是工艺过程是利用控制每个靶的溅射功率的方法控制每个靶材不同的溅射速率，从而可得到任一合金比例为100∶5～100∶100之间任意比例的合金薄膜，并可在工作中随时调节改变合金比例。
全文摘要
本装置属于利用磁控溅射靶制备合金及化合物薄膜之工艺方法,结构为一对向磁控溅射靶,其中一个靶上设有靶材A,另一靶上设有靶材B,则在基片上形成的薄膜合金为A+B,在加工过程中由于改变每个靶的溅射速率可以随时和任意改变合金的比例,其比例范围在100∶5～100。优点:结构简单,安装使用方便,在对靶上设有两种不同金属的靶材就可以在一定范围内(100∶5～100)制备任意比例的合金及化合物薄膜。
文档编号C23C14/35GK1247906SQ9811430
公开日2000年3月22日 申请日期1998年9月14日 优先权日1998年9月14日
发明者张振厚, 黄文符 申请人:中国科学院沈阳科学仪器研制中心