防堵塞坩埚的制作方法

文档序号:11212463
防堵塞坩埚的制造方法与工艺

本发明涉及实验器具领域,尤其是涉及一种防堵塞坩埚,该坩埚主要用于OLED有机镀膜工艺中蒸发OLED有机材料。



背景技术:

现在OLED主要的成膜技术为真空热蒸镀,盛放在坩埚中的有机材料在高真空下被加热,依材料特性不同,有些材料会先液化再气化,有些则直接升华。蒸发出的OLED材料在基片上形成薄膜,不同功能的多层薄膜叠加在一起,就形成了OLED发光器件。蒸镀工艺中,各层薄膜厚度的准确性和均匀性直接决定了OLED器件的性能,而且OLED器件对膜厚细微变化都非常敏感,因此,OLED显示技术对真空镀膜设备的准确性和稳定性提出了极高的要求。

带有小孔的圆柱形坩埚是点蒸发源中最常用的坩埚,具有结构简单,稳定性,均匀性好的特点。但是,在OLED材料的蒸镀过程中,偶尔会出现蒸发的材料在坩埚出口处集聚的现象,影响蒸镀速率和膜厚控制的精度,发生堵塞后,还需要开腔室处理,严重影响设备的产能。

蒸发材料在出口集聚的原因如下:OLED材料受热蒸发后,经由坩埚口到达外部,但是由于坩埚口远离坩埚四周的加热丝,温度可能会低于OLED材料的蒸发温度,途径此处的OLED材料就会重新凝结在温度较低的出口处,并逐渐集聚甚至完全堵塞出口。



技术实现要素:

本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术中的上述缺陷,提供一种可有效地解决蒸镀工艺过程中的堵塞问题/提高工艺稳定性和设备产能的防堵塞坩埚。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种防堵塞坩埚,包括坩埚本体和坩埚盖,还包括设在坩埚盖上并围绕坩埚出口设置的加热机构。

优选地,该防堵塞坩埚还包括与加热机构电连接的温控模块,以控制加热机构的加热温度。

优选地,温控模块的温控范围为100℃至500℃。

优选地,加热机构呈环形。

优选地,加热机构的外径小于或等于坩埚盖的直径。

优选地,加热机构的内径比坩埚出口略大。

优选地,加热机构包括环形的围绕坩埚出口设置的加热片以及集成在加热片上的热电偶模块。

实施本发明的技术方案,至少具有以下的有益效果:防堵塞坩埚,通过加热机构对坩埚盖加热,可控制出口处的温度,使其高于OLED材料的蒸发温度,有效防止材料在此处凝结。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:

图1、2分别是本发明一优选实施例中的防堵塞坩埚的剖视图、俯视图。

其中,0.坩埚本体,1.坩埚出口,2.加热机构,3.坩埚盖,4.OLED材料。

具体实施方式

为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。在本发明的防堵塞坩埚的描述中,需要理解的是,“前”、“后”、“上”、“下”、“正面”、“背面”等术语仅是为了便于描述本发明的技术方案,而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位,因此不能理解为对本发明的限制。

如图1-2所示,本发明一个优选实施方式中的防堵塞坩埚,包括坩埚本体0和坩埚盖3,还包括设在坩埚盖3上并围绕坩埚出口1设置的加热机构2。工艺过程中加热机构2对坩埚出口1处单独加热提高其温度,防止OLED材料4在出口凝结,导致堵塞。该技术方案结构简单,容易加工,无需坩埚外部尺寸,完全兼容原有的加热源和蒸镀工艺,而且防堵塞效果显著。

优选地,加热机构2呈环形,以便于适应坩埚的结构。

加热机构2的内径比坩埚出口1略大,外径略小于或等于坩埚盖3的直径。

加热机构2包括环形的围绕坩埚出口1设置的加热片以及集成在加热片上的热电偶模块,可以测量温度。

该防堵塞还包括与加热机构2电连接的温控模块,以实时控制加热机构2的加热温度。

优选地,温控模块的温控范围为100℃至500℃,基本可以覆盖常规OLED有机材料的蒸发温度。

综上所述,本技术方案的防堵塞坩埚,通过加热机构2对坩埚盖3加热,可控制出口处的温度,使其高于OLED材料4的蒸发温度,有效防止材料在此处凝结。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改、组合和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的权利要求范围之内。

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