1.一种镀膜设备的气体分布系统，其特征在于，包括6套工艺腔，每套工艺腔包括沉积槽、底部平台、氨气进入口(2)、硅烷进入口(3)、硅烷喷淋孔(4)、氨气喷淋孔(5)，所述沉积槽呈U型状，所述氨气喷淋孔(5)设置在沉积槽底部，所述沉积槽开口的两端有沉积槽壁平台(1)，所述硅烷喷淋孔(4)设置在沉积槽壁平台(1)的外边缘处，同一套工艺腔的两侧沉积槽壁平台(1)的硅烷喷淋孔(4)个数相同；所述底部平台与沉积槽底部端点相切并与沉积槽底部连接，底部平台的外边缘和沉积槽壁平台(1)的外边缘在同一竖直平面上，氨气进入口(2)和硅烷进入口(3)设置在沉积槽壁外侧，所述氨气进入口(2)通过管道与氨气喷淋孔(5)接通，所述硅烷进入口(3)通过管道与硅烷喷淋孔(4)接通；所述6套工艺腔并列放置，且相邻工艺腔的沉积槽壁平台(1)连接；所述工艺腔的硅烷喷淋孔(4)的个数为22个或43个或64个，在同一条直线上等间距的分布在沉积槽壁平台(1)的外边缘处。
2.根据权利要求1所述的一种镀膜设备的气体分布系统，其特征在于，所述6套相邻的工艺腔的硅烷喷淋孔(4)的个数一致或者不一致。
3.根据权利要求1所述的一种镀膜设备的气体分布系统，其特征在于，所述工艺腔的氨气喷淋孔(5)均为22个，在同一条直线上等间距的设置在沉积槽底部。
4.根据权利要求1所述的一种镀膜设备的气体分布系统，其特征在于，所述底部平台、沉积槽壁、沉积槽壁平台(1)形成空腔，所述氨气进入口(2)与氨气喷淋孔(5)之间连接的管道放置在空腔中，硅烷进入口(3)与硅烷喷淋孔(4)之间连接的管道放置在底部平台、沉积槽壁、沉积槽壁平台(1)形成的空腔中。