技术编号:11709033
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电阻式随机存取内存,尤其涉及一种具有可执行反向读取的结构的电阻式内存。背景技术在已知的电阻式随机存取内存技术中,选择好的设定或重置电压以及克服电阻式随机存取记忆胞的读取干扰(readdisturb)是很大的挑战。即使是应用一个非常小的读取电压至随机存取记忆胞中,都可能因为读取干扰现象而导致记忆胞状态的改变。电阻式随机存取记忆胞被干扰的现象是在执行读取操作时,由于漏极的读取电压或者是源极的读取电压的极性(polarity)与设定或重置操作相同。因此,电阻式随机存取记忆胞在连续读取时,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。