技术编号：11709219
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种去除光刻残留的方法及系统。背景技术目前，一些产品如双扩散型金属氧化物半导体DMOS、绝缘栅双极型晶体管IGBT和肖特基等的多晶硅厚度比互补金属氧化物半导体CMOS的多晶硅厚度要厚很多，例如DMOS、IGBT和肖特基等产品的多晶硅厚度为而CMOS产品的多晶硅厚度为此外，DMOS、IGBT和肖特基等产品的多晶硅在经过干法刻蚀后的残留如聚合物、光刻胶等也很多。如图1和图2所示，为DMOS产品在多晶硅干法刻蚀后的聚合物残留。从图1和图2中可以看出，在色差交接点...
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