一种去除光刻残留的方法及系统与流程

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种去除光刻残留的方法及系统。

背景技术：

目前，一些产品如双扩散型金属氧化物半导体dmos、绝缘栅双极型晶体管igbt和肖特基等的多晶硅厚度比互补金属氧化物半导体cmos的多晶硅厚度要厚很多，例如dmos、igbt和肖特基等产品的多晶硅厚度为而cmos产品的多晶硅厚度为此外，dmos、igbt和肖特基等产品的多晶硅在经过干法刻蚀后的残留如聚合物、光刻胶等也很多。如图1和图2所示，为dmos产品在多晶硅干法刻蚀后的聚合物残留。从图1和图2中可以看出，在色差交接点会出现点状聚合物残留，在图1中表现为暗处的亮色点，在图2中表现为明亮处的暗色点。

针对上述光刻残留较多的情况，现在多是对经过多晶/硅化钨淀积的多晶硅依次进行干法去胶、湿法去胶以及一号液清洗等工艺流程，其中，一号液清洗指氨水、双氧水和纯净水的比例为氨水：双氧水：纯静水＝1：2：10。但是由于dmos、igbt和肖特基等产品的多晶硅干刻后的聚合物等残留较多，因此通常的干法去胶、湿法去胶以及一号液清洗等工艺流程很难去除多晶硅光刻后的残留。

技术实现要素：

为了能够很好的去除多晶硅光刻后的聚合物和光刻胶等残留，本发明提供了一种去除光刻残留的方法及系统。

为了实现上述目的，本发明提供了一种去除光刻残留的方法，所述方法包括：

对完成光刻处理的工艺制板，通过干法去胶工艺进行第一去胶处理；

对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗；

对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板进行第二去胶处理；

对完成第二去胶处理的工艺制板进行干燥处理。

可选的，在所述对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗的步骤中，稀氢氟酸溶液中氢氟酸的体积百分比为1.5％～3％。

可选的，在所述对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗的步骤中，稀氢氟酸溶液中氢氟酸的体积百分比为2％。

可选的，在所述对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗的步骤中，采用稀氢氟酸溶液对完成第一去胶处理的工艺制板进行漂洗的时间为50s～100s。

可选的，所述对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板进行第二去胶处理，具体包括：对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板，通过湿法去胶工艺进行去胶处理；对完成去胶处理的工艺制板，采用清洗液进行漂洗，其中，清洗液的成分为氨水、双氧水和纯净水，且氨水、双氧水和纯净水的体积比例为1：2：10。

依据本发明的另一个方面，本发明还提供了一种用于实现去除光刻残留的方法的去除光刻残留的系统，所述系统包括：第一去胶设备、第二去胶设备、干燥设备，所述系统还包括用于对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗的漂洗设备。

本发明的有益效果是：

本发明提供的去除光刻残留的方法，首先通过干法去胶工艺对完成光刻处理的工艺制板进行第一去胶处理，然后采用稀氢氟酸溶液对完成第一去胶处理的工艺制板进行漂洗，并对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板进行第二去胶处理，最后对完成第二去胶处理的工艺制板进行干燥处理。本发明通过在第一去胶处理和第二去胶处理之间增加稀氢氟酸溶液漂洗，可以去除工艺制板在光刻处理前生长的氧化层，并去除氧化层上的光刻胶以及光刻产生的聚合物，增强了去除残留的效果；此外，本发明在稀氢氟酸溶液漂洗后不立即进行干燥处理，而是在完成第二去胶处理后进行干燥处理，更好的去除了光刻胶和聚合物等残留。

附图说明

图1表示dmos产品在多晶硅干法刻蚀后的聚合物残留示意图之一；

图2表示dmos产品在多晶硅干法刻蚀后的聚合物残留示意图之二；

图3表示本发明的实施例中去除光刻残留的方法的步骤流程图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

如图3所示，为本发明的实施例中去除光刻残留的方法的步骤流程图，该方法包括如下步骤：

步骤101，对完成光刻处理的工艺制板，通过干法去胶工艺进行第一去胶处理。

在半导体器件的制作过程中，首先在晶圆上生长一层氧化层，然后在氧化层上淀积多晶/硅化钨，在淀积多晶/硅化钨时，最后对淀积有多晶/硅化钨的工艺制板进行光刻处理。在淀积多晶/硅化钨时，通常淀积厚度为的多晶和的硅化钨。在对淀积有多晶/硅化钨的工艺制板进行光刻处理时，需要先在工艺制板的多晶/硅化钨上涂光刻胶，然后再对工艺制板进行光刻处理。

在本步骤中，通过干法去胶工艺对完成光刻处理的工艺制板进行第一去胶处理。具体的，可以使用型号为a1000的去胶机对工艺制板进行干法去胶。

步骤102，对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗。

具体的，完成第一去胶处理的工艺制板上会残留有光刻胶以及第一去胶处理后产生的一些聚合物等残留物质。在本步骤中，在工艺制板完成第一去胶处理之后，采用稀氢氟酸溶液对工艺制板进行漂洗。具体的，稀氢氟酸溶液中氢氟酸的体积百分比为1.5％～3％。优选的，稀氢氟酸溶液中氢氟酸的体积百分比还可以为2％。此外，在采用稀氢氟酸溶液对工艺制板进行漂洗时，漂洗的时间可以为50s～100s。

本步骤中的稀氢氟酸溶液对完成第一去胶处理的工艺制板进行漂洗，可以去除工艺制板上的一层氧化层，去除的氧化层厚度大概为左右，即稀氢氟酸溶液可以将氧化层上的光刻胶及聚合物等残留去除，增加了去除效果。此外，由于稀氢氟酸溶液对完成第一去胶处理的工艺制板漂洗后，氧化层上的残留如光刻胶、聚合物等颗粒还有很多，此时进行干燥，干燥过程中的热氮气会将颗粒固化在工艺制板表面，为后面步骤中去除颗粒造成困难，因此对完成第一去胶处理的工艺制板进行稀氢氟酸溶液漂洗后不进行干燥处理，而是直接进入步骤103。

步骤103，对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板进行第二去胶处理。

在本步骤中，具体的，对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板进行第二去胶处理时，可以先对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板，通过湿法去胶工艺进行去胶处理，然后再对完成去胶处理的工艺制板，采用清洗液进行漂洗。其中，清洗液的成分为氨水、双氧水和纯净水，且氨水、双氧水和纯净水的体积比例为1：2：10。此外，通过湿法去胶工艺进行去胶处理时，可以采用硫酸和双氧水的体积比例为10:1的溶液进行去胶处理。

步骤104，对完成第二去胶处理的工艺制板进行干燥处理。

在本步骤中，具体的，对完成第二去胶处理的工艺制板进行干燥处理时，可以通过离心机先对完成第二去胶处理的工艺制板进行脱水处理，然后再对工艺制板进行甩干处理。

本实施例通过干法去胶工艺对完成光刻处理的工艺制板进行第一去胶处理，然后采用稀氢氟酸溶液对完成第一去胶处理的工艺制板进行漂洗，去除工艺制板上的一层氧化层，从而去除氧化层上的光刻胶和聚合物等残留，再然后对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板进行第二去胶处理，将工艺制板上的光刻胶和聚合物等残留颗粒进行剥离，最后对完成第二去胶处理的工艺制板进行干燥处理，将光刻胶和聚合物等残留彻底清除，增强了去除多晶硅光刻后的聚合物和光刻胶等残留的效果。

依据本发明的另一个方面，本发明还提供了一种用于实现去除光刻残留的方法的系统，该系统包括：第一去胶设备、第二去胶设备、干燥设备以及用于对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗的漂洗设备。

具体的，第一去胶设备用于对完成光刻处理的工艺制板，通过干法去胶工艺进行第一去胶处理；第二去胶设备用于对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板进行第二去胶处理；干燥设备用于对完成第二去胶处理的工艺制板进行干燥处理。

以上所述的是本发明的优选实施方式，应当指出对于本技术领域的普通人员来说，在不脱离本发明所述的原理前提下还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也在本发明的保护范围内。