一种直写光刻系统中用于内层电路板对位的打标装置的制作方法

本实用新型涉及激光直写光刻技术领域，具体是一种直写光刻系统中用于内层电路板对位的打标装置。

背景技术：

在PCB行业加工内层电路板的过程中，需要对每个内层电路板的正反两面进行对位，以保证所有的过孔可以正确连通正反两面的线路，否则将会产生存在短路、断路等问题的废板。

目前，PCB行业直写光刻机内层对位的方式是在载板平台上安装打标装置。内层电路板正面曝光前，对准系统采集打标装置的坐标，确定内层电路板正面曝光坐标系；内层电路板正面曝光的同时，打标装置将标记点打到内层电路板反面；翻转内层电路板，内层电路板反面曝光前，对准系统采集多个标记点的坐标，确定内层电路板反面曝光坐标系，通过两组坐标系拟合，保证内层电路板正反两面的图形相对应。

现有PCB行业直写光刻机的对准系统采用红光照明方式。因为内层电路板表面的感光材料对红光感光效率不高，所以对准系统采集标记点时不会对内层电路板表面的感光材料产生影响。而PCB行业直写光刻机用于内层对位的打标装置采用UVLED或紫外激光器作为光源。内层电路板表面的感光材料对UVLED或紫外激光器提供的紫外光感光效率最高，因此打标装置所打标记点最为清晰。但是UVLED或紫外激光器提供的紫外光会对对准系统采集打标装置的坐标产生影响。

内层电路板正面曝光前，对准系统采集打标装置的坐标，进入对准系统的光主要为UVLED或紫外激光器发出的紫外光；内层电路板反面曝光前，对准系统采集多个标记点的坐标，进入对准系统的光主要为红光。红光与紫外光波长相差过多，因此在对准系统中的焦面位置相差较多。为了保证对准系统得到清晰的像，采集打标装置的坐标与采集标记点的坐标时载板平台Z轴的位置将会不一致，而载板平台Z轴位置的不一致会影响内层对位的精度。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种直写光刻系统中用于内层电路板对位的打标装置，以解决内层电路板对位过程中打标装置与所打标记点在对准系统中焦面不一致的问题。

本实用新型的技术方案为：

一种直写光刻系统中用于内层电路板对位的打标装置，包括光源、位于光源上方的光阑以及位于光源与光阑之间的准直透镜，所述光源采用红紫双色LED，用于当内层电路板正面曝光前对准系统采集打标装置的坐标时发红光，还用于当内层电路板正面曝光时发紫外光，向内层电路板反面打标记点。

所述的直写光刻系统中用于内层电路板对位的打标装置，所述光源位于准直透镜的下焦点位置，所述光阑位于准直透镜的上焦点位置。

所述的直写光刻系统中用于内层电路板对位的打标装置，所述准直透镜采用双凸透镜。

所述的直写光刻系统中用于内层电路板对位的打标装置，所述光阑的通光孔直径为0.2mm。

本实用新型的有益效果为：

由上述技术方案可知，本实用新型采用提供红光和紫外光的红紫双色LED作为光源，当内层电路板正面曝光前对准系统采集打标装置的坐标时，红紫双色LED发红光，当内层电路板正面曝光时，红紫双色LED发紫外光，向内层电路板反面打标记点；同时在光源与光阑之间增加准直透镜，使通过光阑的光更加均匀；本实用新型有效解决了内层电路板对位过程中打标装置与所打标记点在对准系统中焦面不一致的问题。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型在内层电路板对位过程中的应用示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例进一步说明本实用新型。

如图1、图2所示，一种直写光刻系统中用于内层电路板对位的打标装置，该打标装置10包括光源101、位于光源上方的光阑102以及位于光源101与光阑102之间的准直透镜103。光源101采用红紫双色LED，在不同的电压控制下可以发出不同颜色的光，即当内层电路板正面401曝光前对准系统30采集打标装置10的坐标时发红光，当内层电路板正面401曝光时发紫外光，向内层电路板反面402打标记点50。准直透镜103采用双凸透镜，光源101位于准直透镜103的下焦点位置，光阑102位于准直透镜103的上焦点位置。光阑102的通光孔直径为0.2mm。

本实用新型的工作原理：

如图2（a）所示，内层电路板正面401曝光前，光源101发红光，对准系统30采集打标装置10的坐标，确定内层电路板正面曝光坐标系。如图2（b）所示，确认内层电路板正面曝光坐标系后，内层电路板正面401曝光，光源101发紫外光，在内层电路板反面402打上标记点50。如图2（c）所示，内层电路板正面401曝光完成后，翻转内层电路板，内层电路板反面402朝上，在内层电路板反面402曝光前，对准系统30采集标记点50的坐标，确定内层电路板反面曝光坐标系。通过两组坐标系拟合，保证内层电路板正反两面的图形相对应。

以上所述实施方式仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。