技术特征：
技术总结
本发明提供了一种去除光刻残留的方法及系统，方法包括：对完成光刻处理的工艺制板，通过干法去胶工艺进行第一去胶处理；对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗；对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板进行第二去胶处理；对完成第二去胶处理的工艺制板进行干燥处理。本发明能够很好的去除多晶硅光刻后的聚合物和光刻胶等残留，增强了去除聚合物和光刻胶等残留的效果。
技术研发人员：陈定平
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.01.11
技术公布日：2017.07.18