技术编号：11731635
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米半导体材料领域，具体涉及In4SnS8超薄膜及其制备方法。背景技术二维结构单层或少层的半导体材料，例如Co3O4，MoS2以及CuInS2纳米膜等，具有大的表面-体积比和原子尺度的厚度，从而赋予它们一些独特的催化、光电和电化学性能使得它们有望用于光电器件、传感器、能量转换和存储设备等领域。以往制备此类半导体纳米膜的方法主要有化学气相沉积法、电沉积、喷雾热解等。这些方法一般都需要苛刻的制备条件，例如高温、高真空，或设备昂贵、操作繁琐等缺点。In4SnS8是一种多元金属硫化物半导体材料...
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