技术编号：11732827
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容涉及制作集成电路晶体管，并且具体地，涉及低泄漏三维FinFET(鳍式场效应晶体管)器件。背景技术在数字电路中，晶体管是如下开关，该开关理想地：a)在它关断时传递零电流；b)在它导通时供应大电流流动；并且c)在导通与关断状态之间瞬时切换。遗憾的是，晶体管未如在集成电路中构造的那样理想并且甚至在它关断时也往往泄漏电流。经过器件或者从器件泄漏的电流往往耗尽向器件供应功率的电池。多年以来，通过缩减关键尺度以增加切换速度来提高集成电路晶体管性能。然而随着基于硅的晶体管的尺度继续缩减，维持对包括关...
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