技术编号：11733577
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氧化硅晶化的方法，尤其是涉及一种熔盐体系下低温晶化氧化硅的方法。背景技术氧化硅是地球上存在最多的材料之一，其存在形式主要有三种：石英(density＝2.65g·cm-3,trigonal)，磷石英(density＝2.27g·cm-3,cellmonoclinic)，以及方石英(density＝2.32g·cm-3,tetragonal)。在常压下，石英在1143K稳定存在，磷石英的稳定范围在1143-1743K，方石英1743-1973K。氧化硅通常应用在半导体器件领域。介孔氧...
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