技术编号:11743022
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体晶体炉,特别是涉及一种晶体炉的真空与排气管路结构。背景技术晶体炉是制造半导体晶体的专用设备,目前,有多种半导体晶体炉的晶体生长过程需要进行正压操作和抽真空操作,其正压操作压力可达1Mpa,其抽真空操作的真空绝压可达10torr,且目前半导体晶体炉设备大多体积较小,从设备强度设计考虑,不适宜设置过多设备开孔。由于在同一个晶体生长过程中,需要进行正压操作和抽真空操作,对于不耐正压的真空管路以及不耐负压的排气管路,提出了更高的改进要求。晶体炉内部需要维持一定正压的要求,因此排气...
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